氨化法制备GaNTb纳米颗粒的光学性能.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 3 (2013) 037105 氨化法制备GaN:Tb 纳米颗粒的光学性能* † 潘孝军 安秀云 张海军 张振兴 谢二庆 ( 兰州大学物理科学与技术学院, 兰州 730000 ) ( 2012 年2 月13 日收到; 2012 年8 月29 日收到修改稿) 利用简单的氨还原方法制备了GaN:Tb 纳米颗粒. X 射线衍射结果显示纳米颗粒为六方结构, 根据Scherrer 公 式, 计算得到了GaN:Tb 纳米颗粒的平均晶粒大小为21.2 nm; 透射电子显微镜结果显示为GaN:Tb 纳米颗粒尺寸均 匀, 尺寸大小约为20 nm; 除正常的GaN Raman 振动模式外, 还观察到了251 和414 cm−1 2 个额外的Raman 散射峰, 前者是表面无序或尺寸限制效应造成的, 而后者则是八面体Ga-N6 振动模式; 最后, 测量了GaN:Tb 纳米颗粒的室温 光致发光谱, 获得了Tb3 离子在可见光区(位于493.9, 551.2, 594.