高效能低电压 Power MOSFET 及其参数与应用.pdfVIP

高效能低电压Power MOSFET 及其参数与应用 英飞凌公司 林锦宏 张家瑞 前言 近年来，产业的发展、有限的资源及日益严重的地球暖化现象，促使环保及 节能的观念逐渐受到重视，造就各项新能源的开发、能源利用技术及新式组件或 装置的发展，而能源政策的推广更使得能源概念的商机逐渐扩大。 为了满足节能和降低系统功率损耗的需求，需要更高的能源转换效率，这些 与时俱进的设计规范要求，对于电源转换器设计者会是日益严厉的挑战。为应对 前述之规范需求，除使用各种新的转换器拓扑(topology)与电源转换技术来提高 电源转换效率之外，新式功率器件在高效能转换器中所扮演的重要角色，亦不容 忽视。其中，Power MOSFET 目前已广泛应用于各种电源转换器中。本文将简述 Power MOSFET 的特性、参数与应用，除针对目前低电压Power MOSFET 的发 展趋势做简单介绍外，还将简单比较新一代Power MOSFET 的性能。 Power MOSFET 的参数与应用 电源设计工程师在选用 Power MOSFET 设计电源时，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐压、最大导通电流能力及导通电阻等三项参数做出初步决定。 但实际上，在不同的应用电路中，Power MOSFET 的选用，有更细腻的考虑因素， 以下将简单介绍 Power MOSFET 的参数在应用上更值得注意的几项重点。 1 功率损耗及安全工作区域(Safe Operating Area, SOA) 对Power MOSFET 而言，其最大功率损耗是由温度及结-包装外壳间之热阻 所决定的，即： P Tj max −T c I 2 ⋅R ( T ) (1) tot Rthjc nom DSon j max 由上式可知，若能够有效减少热阻，则Power MOSFET 所能承受之的最大 功率损耗就可以获得提升。图 1 为Power MOSFET 的最大功率损耗与温度关系 图。由图可知，若能有效减少热阻，就能使Power MOSFET 之最大功率损耗及 最大工作电流获得提升。 图1 Power MOSFET 最大功率损耗对温度关系图 图2 为Power MOSFET 之安全工作区示意图，其安全区主要由四个条件所 决定：导通电阻RDSON 、最大脉波电流IDpulse 、最大功率损耗PD 及最大耐压VBR 。 正常条件下，Power MOSFET 都必须能够在安全工作区域之内。 最大脉波电流 功率损耗 T −T P j , max C D Z thjc 最大耐压 VBR 图2 Power MOSFET 之安全工作区域图 2 传导与并联使用 Power MOSFET 的传导(transconductance, gfs)为