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第 卷 第 期 ，
３２ １ 光 学 学 报 Ｖｏｌ．３２ Ｎｏ．１
年 月 ，
２０１２ １ Ｊａｎｕａｒ ２０１２
ＡＣＴＡＯＰＴＩＣＡＳＩＮＩＣＡ ｙ
双层堆垛长波长 ／ 量子点发光性质研究
ＩｎＡｓＧａＡｓ
１ ２ ２ ２ ２
魏全香 吴兵朋 任正伟 贺振宏 牛智川
１
，
山西大学物理电子工程学院 山西太原 ０３０００６
（ ２ ， ）
中国科学院半导体研究所 北京 １０００８３
／ ／ （ ） 。
摘要 研究了双层堆垛 自组织量子点的生长和光致发光 的物理性质 通过优化 淀积
ＩｎＡｓＧａＡｓ ＩｎＡｓ ＰＬ ＩｎＡｓ
、 ，
量 中间 层厚度以及 量子点生长温度等生长条件 获得了室温光致发光 的高质量
ＧａＡｓ ＩｎＡｓ １３９１ １４３８ｎｍ ＩｎＡｓ
～
。 、
量子点 研究发现对量子点 间隔层实施原位退火 采用 辅助生长 盖层等方法可以增强高密度
ＧａＡｓ Ｓｂ ＩｎＧａＡｓ
１０ －２
（ ） ， ， 。
量子点的发光强度 减小光谱线宽 改善均匀性和红移发光波长
２×１０ ｃｍ ＩｎＡｓ
； ； ； ；
关键词 材料 双层堆垛 量子点 光致发光 分子束外延
ＩｎＡｓ
中图分类号 ； ； ＋ ； 文献标识码 ： ／
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