在ITO导电衬底上室温电沉积高取向的CuBr薄膜.pdfVIP

第 25卷第 2期 无 机 化 学 学 报 Vo1．25No．2 2009年 2月 CHINESEJ0URNALOFINORGANICCHEMISTRY 231～235 在 ITO导电衬底上室温电沉积高取向的CuBr薄膜 李 赫 ， 徐铸德 2 (浙江树人大学生物与环境工程学院，杭州 310015) (浙江大学化学系物理化学研究所 ，杭州 310027) 摘要 ：室温下，通过简单 的电沉积过程还原 CuBr2水溶液可在 ITO导电衬底上生长 出高取 向的CuBr晶体 。用 x一射线衍射仪 (XRD)、扫描 电镜(SEM)对样品进行了表征。结果表明：CuBr晶体生长沿着l】1晶轴方向具有优先取向。通过烷基咪唑四氟硼酸 盐[Bmim][BF4】离子液体来调控 电沉积 CuBr的晶体形貌， hll[Bmim][BF4] ，CuBr晶体生长 (1l1)面优先取向大大削弱。对离子 液体调控 CuBr晶体形貌的机理进行 了初步探讨 。 关键词 ：CuBr；电沉积 ；高取向：离子液体 中图分类号：O614．121：O613．43：0646．5 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2009)02—0231—05 Room TemperatureElectrOdepositiOnofHighlyOriented CuBronIndium TinOxideGlassSubstrate LIHe ， XU Zhu—De (CollegeofBiologyandEnvironmentalEngineering,ZhejiangShurenUniversity,Hangzhou310015) (2InstituteofPhysicalChemistry,DepartmentofChemistry,ZhejiangUniversty,Hangzhou310027) Abstract：Asimpleelectrodepositionprocesshasbeendemonstratedtogrowhighlyorientedcopper(I)bromide crystalsonindiumdopedtinoxide (ITO)glasssubstratethroughreductionofCuBr2inaqueoussolutionsatroom temperature．ThesampleswerecharacterizedbyX—raypowderdiffraction (XRD)andscanningelectron microscopy fSEM)．Theexperimentalresultsshowthatthecopper(I)bromidecrystalsgrowpreferentiallyalong the111crystalaxis．Morphologycontrolofelectr0depositedCuBrcrystalsbyalkylimidaz0lium tetrafluorobo— rate ([Bmim][BF4])ionicliquidshavealsobeenexplored．when [Bmim][B ]wasadded，thepreferedcrystal orientationsoftheas—preparedCuBrfilmshaveweakened largely．Thecrystalgrowthmechanism oftheCuBr filmspreparedbytheelectrodepositionmethodwithionicliquidsasadditiveswasstudiedpreliminarily． Keywords：CuBr；electrodeposition；orientation；ionicliquids CuBr晶体是具有很低局部 电子传导率 的良好