《铁磁金属薄膜的磁电阻测量》鉴定报告.docVIP

《铁磁金属薄膜的磁电阻测量铁磁金属薄膜的磁电阻测量了解磁电子学和磁性薄膜材料科学的一些基本概念和知识； 了解目前广泛应用的磁电阻（MR），各向异性磁电阻（AMR），巨磁电阻（GMR）和庞磁电阻（CMR）等一些基本概念； 了解和学会当今科研开发中使用的四探针法测量磁性薄膜磁电阻的原理和方法； 影响薄膜磁电阻的一些基本因素由此了解科学研究的一些基本思想；亥姆霍兹磁场线圈、HY1791-10S直流磁场电源、具有三组不同沉积条件的NiFe薄膜和六组不同沉积条件的NiFe /Cu/NiFe三层薄膜材料。薄膜样品薄膜样品所加磁场由亥姆霍兹线圈提供，磁场可从零线性增加到180奥斯忒，磁场灵敏度可达到0.5奥斯忒；放在线圈中心的可调样品台上，线圈可在360度范围内绕样品旋转；四探针组件是由具有引线的四根探针组成，这四根探针被固定在一个架子上， HY1791-10S直流磁场电源的输出电流在0-10安培，其精度为±0.1%。 三组不同沉积条件的NiFe薄膜和NiFe /Cu/NiFe三层薄膜，其具体条件为：三种不同沉积速率和背底真空的厚度为50纳米NiFe薄膜、六种不同非磁性层Cu厚度的NiFe /Cu/NiFe三层薄膜。磁电阻效应MR是指物质在磁场的作用下电阻发生变化的物理现象。表征磁电阻效应大小的物理量为MR，其定义为： (2.1) 其中和分别表示物质在某一不为零的磁场中和磁场为零时的电阻率。磁电阻效应按磁电阻值的大小和产生机理的不同可分为：正常磁电阻效应(OMR)、各向异性磁电阻效应(AMR)、巨磁电阻效应(GMR)和超巨磁电阻效应(CMR)等。NiFe /Cu/NiFe三层薄膜巨磁电阻效应各向异性磁电阻效应 在居里点以下，铁磁金属的电阻率随电流I与磁化强度M的相对取向而异， 称之为各向异性磁电阻效应。即。各向异性磁电阻值通常定义为： (2.1) 这里为铁磁材料在理想退磁状态下的电阻率。不过由于理想的退磁状态很难实现，通常取 (2.2) 则有： (2.3) 其中表示物质在饱和磁场H中和磁场为零时的平均电阻率。 低温5K时，铁、钴的各向异性磁电阻值约为1，而坡莫合金(Ni81Fe19)为15，室温下坡莫合金的各向异性磁电阻值仍有。金属多层磁性薄膜中的巨磁电阻效应 金属多层磁性薄膜是人为生长的、由金属磁性材料(铁、钴、镍及其合金等)和金属非磁性材料(铜、铬、银和金等)构成的金属超晶格材料。2.2.1 磁性多层膜巨磁电阻特点： .数值远比AMR大得多； .随磁场增加呈现负电阻值变化； .磁电阻效应各向同性，只与铁磁层间磁矩的相对取向有关； .磁电阻效应的大小随非磁性层厚度而发生周期性的振荡变化。 .GMR出现的必要条件是：电子自旋要“识别”铁磁层间磁矩是平行排列还是反平行排列，这就要求多层膜的“周期”厚度FM+NMMean Free Path(电子平均自由程)。如果非磁层厚度过大，影响到上述条件，则GMR衰减。 2..2磁性多层膜巨磁电阻的理论解释 Mott提出二流体模型对巨磁电阻给予简单的。图和图为零场及较大外磁场作用下传导电子的运动情况。图对应着零场时传导电子的运动状态，此时多层膜中同一磁性层中原子的磁矩排列方向一致。但相邻磁层原子的磁矩反平行排列。按照Mott的二流体模型，传导电子分为自旋向上和自旋向下的电子，多层膜中非磁性层对这两种状态的传导电子的影响是相同的，而磁层的影响却完全不同。当两磁层的磁矩方向相反时，两种自旋状态的传导电子在穿过磁矩与其自旋方向相同的磁层后，必然在下一个磁层处遇到与其方向相反的磁矩，并受到强烈的散射作用，宏观上表现为高电阻状态；当外场足够大时，使得磁层的磁矩都沿外场方向排列(图)，则自旋与其磁矩方向相同的电子受到的散射小，而方向相反的电子受到的散射作用强，宏观上表现出低电阻状态。图和图右侧的图表示对应高阻态和低阻态的等效电路图。 图 零场时传导电子的运动状态