基于忆阻器的开关磁阻电机建模方法分析研究毕业论文.docVIP

基于忆阻器的开关磁阻电机建模方法 梁燕1 陈昊2 于东升3 (1.2.3 中国矿业大学 江苏 徐州 221008 信息与电气工程学院) 摘要 三端忆阻器是在两端忆阻器数学模型的基础上提出的，是一种阻值可控的可以记忆非线性器件。本文依据开关磁阻（简称SR）电机相绕组电磁特性，以理想线性电感模型为设计基础，建立了基于忆阻器且具有SR电机电感特性的电路模型。首先把转子位置信号和电感端电压分别看作三端忆阻器的输入变量，使忆阻器的阻值跟随转子位置变化而变化。根据需要建立了忆阻器向忆感器转换模型，并搭建了SR电机绕组的忆感器模型。PSPICE仿真结果表明，所建模型等效电感值随输入转子位置信号变化趋势与SR电机绕组线性模型电感曲线相同。 关键词：三端忆阻器 忆感器 开关磁阻电机  0 引言 早在1971年，蔡少棠教授根据科学的对称性原理，预言存在第四个基本电路元件—忆阻器[1-2]，但是由于没有物理实现的元器件，忆阻器的研究没有引起足够的重视。直到2008年5月，美国惠普实验室提出了忆阻器的物理模型，证实了它的存在[3]。忆阻器是一种无源二端元件，有着独特的记忆功能，可以通过控制其两端的电压或是流过的电流来改变其阻值。这种记忆信息的能力使其在非易失性存储器、人工神经网络、图像处理上具有较大的应用潜力，并且可能导致一种新型计算机存储器的产生[4]。把忆阻器的概念扩展得到了忆感器、忆容器，它们同样具有记忆的功能[5]，将会得到更广泛的应用。 SR电机具有结构简单坚固、制作成本低、可靠性强、效率高等特点。为了对SR电机进行理论分析，需要建立数学模型，其关键之处是能够反映SR电机的电感（或磁链模型）。目前已有多种SR电机电感模型建模方法如线性法、准线性法、函数解析法以及有限元分析法等。但是还没有文献提出忆感器在SR电机建模上的应用，本文为了简化模型的构建，采用了SR电机电感线性模型。根据已提出的三端忆阻器方程建立了其电路模型，并将SR电机线性电感模型与其组合，建立了SR电机相绕组的忆阻器模型。根据文献[6-8]建立了忆阻器向忆 基金项目：中央高校基本科研业务费专项资金(JC111790) 感器的转换模型，构建了SR电机相绕组的忆感器模型，使其具有忆感器特性。 1 三端忆阻器模型 将忆阻器的概念进行扩充、推广，引出忆阻器系统。与任意的动态非线性系统相比，其最主要的特征是零穿越特性，即每当输入为零时输出都是零。忆阻器系统可以通过下列动态方程组表示[2]： (1) 这里，和为系统的输入和输出，为系统的状态量。是一个维连续矢量函数，是一个维连续标量函数。 根据式（1），可以证明忆阻器具有无源被动性、频率响应特性、小信号交流特性等性质。忆阻器系统进行扩展，提出忆容器系统、忆感系统[4]。进而使一些学者产生思考，是否可以发展晶体管记忆系统，晶体管具有三个端子，式（1）为两端子忆阻器系统，所以文献[]提出了三端忆阻器系统。 本文建立的由电压控制的三端忆阻器系统的动态方程组如下所示[] ： (2) 这里，和为输入电压，为输出电流。为系统的状态量。是一个维连续矢量函数，是一个维连续标量函数。 根据忆阻器的数学模型（1），国内外学者已经建立了两端忆阻器SPICE模型[10-12]。由于这些模型都没有给出实验结果，进而文献[13]提出了基于场效应管的忆阻器电路模型，给出了对于不同测试信号的实验结果，其均满足忆阻器特性，从而验证了模型的正确性。 目前，三端忆阻器的研究仅是基于数学模型基础上，还没有提出电路模型。本文根据需要建立了三端忆阻器的电路模型，如图1所示。该模型由积分电路、AD633乘法器芯片、电流反相电路组成。 图1三端忆阻器模型 图1中的三端忆阻器模型是受电压控制的，其输入电压经过积分电路输出电压，输入电压与通过模块U1得到了输出电流。以下方程组： （3）通过求解方程组可得输出电流与输入电压的关系，如下式： (4) 2. SR电机相绕组的忆阻器模型 从简化的线性模型进行分析，不计电机磁路饱和的影响，假定相绕组的电感与电流的大小无关，且不考虑磁场边缘扩散效应，随着定转子磁极重叠的增加和减少，相电感在最大值和最小值之间线性的增加和减小。相电感变化的频率正比于转子极对数，变化周期为（对三相（12/8）SR电机，），得到SR电机绕组电感的分段线性解析式如下[14]： (5) 式中：； —定子齿极与转子齿极间中心重合处的最小电感； —定子齿极与转子齿极轴线重合处的最大电感； 想要得到SR电机的相绕组忆感器模型，需要先建立忆阻器模型，进而将忆阻器模型转换