第4章半导体基本器件.pptVIP

Chapter 4 常用半导体器件 主要内容 半导体的基本知识与PN结 半导体二极管及其应用电路 双极型三极管及其特性参数 场效应管及其放大电路 § 4.1 半导体的基本知识与PN结 一、 半导体的基本知识 二、 PN结 § 4.2 半导体二极管及其应用电路 二、 二极管伏安特性 三、 主要参数 四、 二极管的电路模型 五、 二极管应用电路 例4.1 六、 特殊二极管 § 4.3 双极型三极管及其特性参数 三极管结构与工作原理 三极管特性曲线及主要参数 一、双极型三极管 1. 三极管的结构与符号 2.电流分配与放大作用 例4.2 3.三极管的特性曲线 测得电路中三极管3个电极的电位如图所示。问哪些管子工作于放大状态，哪些处于截止、饱和、倒置状态，哪些已损坏？ 4.三极管的主要参数 5. 三极管的其它形式 4.4 场效应管及其放大电路 绝缘栅型场效应管 共源极放大器 源极输出器 1、N沟道增强型MOSFET 3）特性曲线 2、 场效应三极管的参数 二、 双极型和场效应型三极管的比较 三极管内部载流子的运动规律 IE IB IC E N B C N P EB RB EC mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 用实验说明三极管的电流分配与放大作用 实验电路采用共发射极接法，NPN 型管。 为了使三极管具有放大作用，电源 EB 和 EC 的极性必须使发射结上加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压(反向偏置)。 改变可变电阻 RB，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化， 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB/mA 三极管电流测量数据 结论：(1) 符合KCL，且 IC≈IE (2) IB 对IC有控制作用。 IB的改变控制了IC的变化，体现了三极管的电流控制作用。 电流放大系数 NPN 型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 UC UB UE PNP 型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 UC UB UE 三极管实现放大的外部条件： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。 IC IE IB B ? ? ? ? UBE + ? UCE + ? E C IC IE IB B ? ? ? ? UBE + ? UCE + ? E C 在放大电路中测得4个三极管的各管脚对“地”电位如图所示。试判断各三极管的类型（是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管），并确定e、b、c三个电极。 分析： 1）工作于放大状态的三极管，发射结应正偏，集电结应反偏，因而NPN型有VCVBVE， PNP型有VCVBVE。可见基极电位总是居中，据此可确定基极。 2）硅管|UBE|=0.6~0.8V，锗管 |UBE|=0.2~0.4V，则与基极电位相差此值的电极为发射极，并可判断是硅管还是锗管。 3）余下一电极为集电极。 4）集电极电位为最高的是NPN型管，集电极电位为最低的是PNP型管。 （c）PNP型硅管，①-集电极，②-基极，③-发射极 （a）NPN型硅管，①-发射极，②-基极，③-集电极 （d）NPN型锗管，①-基极，②-集电极，③-发射极 （b）PNP型锗管，①-集电极，②-基极，③-发射极 输入特性曲线 + + ? ? iB iC uBE uCE iB 和uBE之间的关系与二极管相似。 三极管的输入特性也有一段死区，只有在发射结外加电压大于死区电压时，才会产生 iB。 输出特性曲线 (1) 放大区 对 NPN 型管而言，应使 ， UC UB UE 。 + + ? ? iB iC uBE uCE IC＝β IB (2) 截止区 IB = 0 时, IC = ICEO(很小)。 为了使三极管可靠截止，常使 UBE ? 0，截止时集电结也处于反向偏置(UBC 0)，此时, IC ? 0 。 (3) 饱和区 当 UCE＝UCES UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)，三极管工作于饱和状态。 在饱和区，IC 和 IB 不成正比。 + + ? ? iB iC uBE uCE 当三极管饱和时，UCE ? 0，C-E间如同一个开关的接通； 当三极管截止时，IC ? 0 ， C-E之间如