半导体物理学 第七版 刘恩科编著chap6.pptVIP

第六章 pn结 6.1pn结及能带图 6.1.1 pn结的形成和杂质分布 p-n结的形成 ?控制同一块半导体的掺杂,形成pn结 (合金法; 扩散法等) ?在p(n)型半导体上外延生长n(p)型半导体 同质结和异质结 ?由导电类型相反的同一种半导体单晶材料组成的pn结--同质结 ?由两种不同的半导体单晶材料组成的结—异质结 工艺简介: ? 合金法—合金烧结方法形成pn结 ? 扩散法—高温下热扩散,进行掺杂 杂质分布的简化: ?突变结 ?线性缓变结 6.1.2 空间电荷区 在结面附近, 由于存在载流子浓度梯度,导致载流子的扩散. 扩散的结果: 在结面附近,出现静电荷--空间电荷(电离施主,电离受主). 空间电荷区中存在电场--内建电场,内建电场的方向: n→p . 在内建电场作用下,载流子要作漂移运动. 6.1.3 pn结能带图 当无外加电压, 载流子的流动终将达到动态平衡(漂移运动与扩散运动的效果相抵消, 电荷没有净流动), p-n结有统一的EF (平衡pn结) 结面附近,存在内建电场,造成能带弯曲,形成势垒区(即空间电荷区). 因为 因为 所以 则 而本征费米能级的变化与电子电势能的变化一致，所以 带入上式得 或 同理可得 或