第十章霍尔传感器.pptVIP

* * 第十章 霍尔传感器 一、定义： 霍尔传感器是利用霍尔效应实现磁--电转换的一种传感器。 霍尔传感器特点： ? 灵敏度高 ? 线性度好 ? 稳定性高 ? 体积小和耐高温 二、霍尔效应和工作原理 （一）霍尔效应 一块半导体薄片，长度为L，宽度为b，厚度为d， 当它被置于磁感应强度为B的磁场中， 如果在它相对的两侧面通以控制电流I，且电流方向与磁场方向正交，则 ： 半导体另外两侧面将会产生一个大小与控制电流I和磁场强度B乘积成正比的电势UH。 UH 控制电流极 霍尔电极 即 UH=KH ? I?B 其中KH为霍尔元件的灵敏度。这一现象称为霍尔效应。 霍尔效应产生原因： 半导体中自由电荷受磁场中洛仑兹力作用而产生的。 UH电势称为霍尔电势，半导体薄片就是霍尔元件。 （二）工作原理 设霍尔元件为N型半导体，当它通过电流I时，半导体中的自由电荷（电子）受到磁场中洛仑兹力FL的作用 式中，υ为电子速度，B为垂直于霍尔元件表面的磁场强度。 FL使电子运动方向发生偏移，向某一端积聚，使半导体一端面产生负电荷积聚，另一端面则为正电荷积聚。 由于电荷聚积，产生静电场，即为霍尔电场。 该静电场对电子的作用力FE与洛仑兹力方向相反，将阻止电子继续偏转。 式中，UH为霍尔电势，e为电子电量。 当静电场作用于运动电子上的FE与洛仑兹力FL相等时，电子积累达到动态平衡，即： FE = FL 所以 UH=b?v?B 流过霍尔元件的电流I为: 式中，n为单位体积内自由电子数（载流子浓度）, bd为与电流方向垂直的截面积。 若霍尔元件为P型半导体，则: 式中 p ——单位体积内空穴数（载流子浓度）。 （三）霍尔系数及灵敏度 霍尔系数RH由材料性质决定，它决定霍尔电势的强弱， 只有半导体材料为最佳霍尔传感器的材料。 取： 则： RH—霍尔传感器的霍尔系数。 KH —— 霍尔元件的灵敏度 则： UH=KH ? I?B 设： 霍尔元件的灵敏度：指在单位磁感应强度和单位控制电流作用时，所能输出的霍尔电势的大小。 霍尔电势除了与材料的性质有关，同时还与霍尔元件的几何尺寸有关。 一般要求： 霍尔元件灵敏度越大越好。 霍尔元件的厚度d与KH成反比，因此，霍尔元件的厚度越小其灵敏度越高。 UH=(RH /d)? I?B =KH ? I?B 说明： 降低霍尔元件厚度d，可以提高灵敏度，但必须兼顾元件的强度。 当控制电流I的方向或磁场的方向发生改变时，输出的霍尔电势方向将发生改变。 ? 当霍尔元件的宽度b加大，或L/b减小时，载流子在偏转过程中的损失将加大，使UH下降。通常要加以形状效应修正： 式中，f(L/b) ——形状效应系数。 L/b 0.5 1.0 …… f(L/b) 0.370 0.675 …… 三、霍尔元件的主要技术参数 1、额定功耗P0 霍尔元件在环境温度T=25℃时，允许通过霍尔元件的电流I和电压E的乘积。 当供给霍尔元件的电压确定后，根据额定功耗可以知道额定控制电流I，因此有些产品提供额定控制电流，不给出额定功耗P0 2、输入电阻Ri和输出电阻R0 Ri：指控制电流极之间的电阻值。 Ro：霍尔电极间的电阻。 3、不平衡电势U0 在额定控制电流I作用下，不加磁场时，霍尔电极间的空载霍尔电势称为不平衡（不等）电势。 不平衡电势和额定控制电流I之比为不平衡电阻R。 4、霍尔电势温度系数? 在一定的磁感应强度B和控制电流I作用下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率，称霍尔电势温度系数。 5、内阻温度系数β 霍尔元件在无磁场及工作温度范围内，温度每变化1℃时，输入电阻Ri与输出电阻Ro变化的百分率称内阻温度系数β。 6、灵敏度KH 在某一控制电流和一定强度磁场中，输出极开路时元件的霍尔电势输出值。 四、霍尔元件连接方式和输出电路 （一）基本测量电路 霍尔元件的基本测量电路 控制电流I由电源E供给，电位器W用于调节控制电流I的大小。 霍尔元件输出接负载电阻RL，RL可以是放大器的输入电阻或测量仪表的内阻。 （二）连接方式 如果为了获得较大的霍尔输出电势，可以采用几片叠加的连接方式， （a）为直流供电情况。 通过调节W1、W2使两个元件的输出霍尔电势相等。 A、B为输出端，则它的输出电势为单块的2倍。 控制电流端并联 （b）为交流供电情况。 （三）霍尔电势的输