GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究.pdf

摘 要 H卜V族化合物半导体由于它们具有独特的能带结构和性质，在微波器件、 光电器件、霍尔器件和红外元件等方面得到了广泛的应用。其中，GaAs基材料 是目前研究最为成熟同时也是最重要的I工I-V族化合物半导体材料，GaSb基材 料则是中红外光电子器件的首选材料。本论文主要对 GaSb基材料的分子束外 延生长以及 GaAs基材料在器件方面的应用进行了研究。内容包括:锑化物量 子阱的分子束外延生长研究，AIGaInP/GaAsHBT直流特性研究，n- GaAs/AuGeNi欧姆接触研究;另外，本论文还研制了欧姆接触电阻率测试仪。 得到了一下结果。 一) 计算了InGaSb,AIGaSb,InGaAsSb材料的禁带宽度、晶格常数、临 界厚度、以及它们相互所组成的异质结带阶。详细分析了应变对异质 结 带 阶 的影 响 。设计 了一种 新 的量 子 阱结构 ，既 Ino.35Gao.65sb/Ino.35Gao.65Aso.,Sbo.9/Ino.35Gao.65Sb/AIo3.5Gao.65Sb第二类应 变量子阱，并系统描述了该应变量子阱子能带结构。 二) 采用固态源分子束外延方法在((001)GaSb衬底上生长了 In0.35Gao.65S6/In0.35Ga0.65Aso.1Sbo.9/In0.35Ga0.65Sb/AI0.35Gao.65Sb第二类应 变量子阱，测量了量子阱的光致发光((PL)特性。结果表明，增加 Ino.35Gao.65Aso.jSbo.9厚度，PL峰值波长逐渐增大，量子阱PL强度大 大减弱;增加 Ino.35Gao.65Sb厚度，PL峰值波长逐渐增大，但量子阱 PL强度衰减很小。通过对量子阱变温和变激发功率的PL测量证实该 量子阱是准第一类量子阱发光。 三， 详细阐述了AlGaInP/GaAsHBT的制作工艺，并从理论和实验上深入 探讨了集电结结构对AtGaInP/GaAsHBT直流特性的影响，表明在异 质集电结引入i-GaAs层可消除电子阻挡效应。测量结果显示NpN型 HBT因异质集电结导带尖峰出现电子阻挡效应，NpiN型HBT在异质 集电结引入 i-GaAs薄层，消除了电子阻挡效应。测量结果还表明 NpiN型HBT的拐点电压Vk-。和开启电压Voffset均很小 且击穿性能 有很大提高。 四) 研制了智能化的欧姆接触电阻率测试仪。该仪器能进行六种方法的测 量，分别是线性传输线法，圆环传输线法，交叉四点法，四探针法， 接触一端电阻法，不等距四探针法。每一种测试方法都有相应的测试 程序与之配套。 五) 研究了AuGeNi与29si十注入掺杂的n-GaAs欧姆接触特性。结果表 明，在非相干光快速合金化条件下，接触电阻率与29si，注入条件无 关，其值均在3-10,7n-cm2左右。 Abstract 111-Vcompoundsemiconductorsmaterialshavebeenusedwidelyinmicrowave, high-speedelectronic,halldevices,andopto-electronicdevicesandcircuitsdueto theiruniquebandstructureandproperties.GaAsisthemosttechnologicallyimportant andthemoststudiedcompoundsemiconductorsmaterial.AndGaSbisthepreferred materialofmid-infraredopto-electronicdevices.Thisthesisisconcernedwith molecularbeamepitaxy(MBE)ofantimony-basedIII-Vsemiconductorsanddevice applicationofthearsenide-basedIII一Vsemiconductors.TheMBEofantimony-based