Bi2Te3掺杂p型温差电材料的电化学制备、表征及沉积机理研究.pdf

中文摘要 随着能源危机的加剧以及环境保护意识的不断加强，对温差电材料以及温差 电池的研究日益受到重视。本文以采用电化学沉积技术制备高性能的P型Bi2Te3 基掺杂温差电材料为目的，通过量子化学计算方法，选择了Sb、Se、Cu和Ag 溶液体系的电沉积过程进行了研究。同时采用ESEM、XRD、EDS、霍尔效应测 试仪、Seebeck系数测试仪等现代物理测试技术对电沉积材料的组织结构以及性 能进行了表征。在此基础上，系统研究了BizTe3基掺杂温差电材料的制备工艺， 获得了最佳制备工艺条件。此外，对微区内电沉积制备P型Bi2Te3基掺杂温差电 材料也进行了研究。 采用循环伏安、交流阻抗、阴极极化等电化学测试技术对Bi．Sb．Te及 的电化学还原过程都为不可逆过程，而且是分步进行。HTe02+和H2Se03的还原 过程还包含了离子的吸附、吸附离子的还原以及游离态离子的还原等多个步骤。 研究还发现，在Bi．Sb．Te．Se溶液体系中，极化电位较正时，吸附在电极表面的 时，Sbul开始还原，发生Bi．Sb．Te和Bi．Sb．Te．Se合金的沉积反应。电位更负时， Sb2Te3开始形成。 采用控电位电沉积模式，制备了四元Bi2．。Sb。Te3叫Se，温差电材料和Cu及Ag 掺杂的M。B