硅掺杂DLC硬盘保护膜的制备及等离子体诊断.pdfVIP

人连理一r人学硕士论文 摘要 微波一ECR等离子体增强化学气相沉积和等离子体增强非平衡磁控溅射两种工艺同 步进行，可制备半导体、合金材料，而且能制备性能优异的掺杂类金刚石薄膜，从而越 来越受到重视。 本文首先介绍等离子增强溅射沉积的特点及应用。简要阐述了类金刚石膜的发展、 性能、应用、制备方法及存在的问题。介绍了Langmiur单探针的工作原理、特点及其应 用，并用其诊断出最佳气体流量配比为CH4=40sccm.Ar=10sccma 利用拉曼光谱和红外吸收光谱分析了硅掺杂薄膜的结构，表明制备的是非晶膜，并 用其研究了薄膜的化学结构变化。利用X射线光电子能谱研究了薄膜的组分，利用原子 力显微和电子扫描显微镜观察了薄膜的表面形貌，同时测试了薄膜的摩擦学性能。 硅掺杂DLC膜的通常制备方法为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)，并以含硅 的有机化合物如硅烷等作为掺杂源，这样随着DLC膜中硅含量的增加，膜中氢含量也随 之增加，spa碳的相对含量减少，从而降低了薄膜的力学性能及化学稳定性。本文利用双 放电腔微波-ECR等离子体增强化学气相沉积和等离子体增强非平衡磁控溅射两种工艺 同步进行的