He或ArCH4介质阻挡放电制备类金刚石膜的性能和沉积机理研究.pdfVIP

摘 要 介质阻挡放电是一种较高气压范围下产生非平衡等离子体的放电方式。利用 介质阻挡放电沉积碳氢薄膜，是一种新颖的方法。该方法具有放电装置简单、耗 能低、气体耗量小以及可实现室温下多种基底上大面积成膜等优势。我实验室已 经自1999年开始开展了关于这方面的研究工作，并取得了很多成果:己经应用 介质阻挡放电制备出了质量较好的类金刚石膜。在等离子体增强化学气相沉积制 备类金刚石膜中，向反应气体中掺入其他气体可以改善膜的特性。在介质阻挡放 电制备薄膜中加入掺杂气体的研究还没有报导。本文主要研究在介质阻挡放电等 离子体增强化学气相沉积制备类金刚石膜过程中，向CH;中加入He(或Ar)对所 沉积的类金刚石膜特性的影响。本文的主要工作内容和成果如下: 利用He(或Ar)+CH4介质阻挡放电，在低气压下制备了类金刚石膜，研究了 不同掺杂比例下，掺He(或Ar)对类金刚石膜硬度、粗糙度和沉积速率等薄膜性 能的影响。FTIR分析和Raman谱分析结果证实了薄膜的结构的变化。应用AFM 分析了类金刚石膜的表面形貌。应用SEM测量了类金刚石膜的厚度。研究发现， 掺He(或Ar)可以显著提高膜的硬度、降低粗糙度:在CH4含量为33%时，掺He 和掺A:制备的类金刚石膜的硬度最大值达到