浅槽隔离中的氧化层缺陷解决方案的研究.pdfVIP

Dissertation Submitted to Shanghai Jiao Tong University for the Degree of Master Study on the Solutions to the STI Oxide AA Damage Defects Candidate： Wang YanJun Student ID: 1082102094 Supervisor： Associate Prof. Huang QiYu Assistant Supervisor: Lu ZhaoYong Academic Degree Applied for ： Master of Engineering Speciality： Microelectronics Engineering Affiliation ： School of Microelectronics Date of Defence ： May, 2010 Degree-Conferring-Institution ： Shanghai Jiao Tong University 浅槽隔离中的氧化层缺陷解决方案的研究 摘 要 最近几年，随着半导体技术的快速发展，半导体集成电路发生了 翻天覆地的变化。而其中，半导体的隔离技术也经历了巨大发展。以 前当半导体制造技术在 0.25 微米以上线宽的时候，用的隔离工艺是硅 的局域氧化工艺。硅的局域氧化工艺是一个非常成熟的工艺，在微米 时代有着广泛的应用。而当半导体制造技术下降到 0.25 微米以下线宽， 由于硅的局域氧化工艺存在着一系列难以克服的技术难题，浅槽隔离 技术就完全代替了硅的局域氧化技术，为半导体的发展发挥出了巨大 的贡献。 半导体进入纳米时代之后，浅槽隔离中的高温热氧化物的厚度也 会随着线宽的减小而越来越薄,在 90 纳米的工艺中高温热氧化物的厚 度仅仅只有 100 埃。因此随之而来的问题是：由于在形成热氧化物的 时候，由于硅和氧的不完全反应，在硅和二氧化硅的界面会生成一氧 化硅的气态不稳定物质。由于高温热氧化物的厚度太薄，这种不稳定 的物质会在高温缺氧的情况下，从氧化层中爆出，导致在浅槽隔离中 形成热氧化层的缺陷，最终导致产品电性不稳，良率和可靠性降低。 我们称这种浅槽隔离中的高温热氧化层缺陷为有源区域损伤的缺陷。 本文解决的就是在实际的 90 纳米逻辑和闪存制程中碰到的氧化 层缺陷问题。先通过透视电镜切片来确定热氧化物在浅槽中不同位置 的厚度，然后再通过大量的实验优化了高温热氧化及之后的高温热退 火的程式，使高温热氧化和高温热退火由原先两个独立的程式优化成 一个合并的程式。这个程式不但在高温热氧化的过程中通有氧气，同 时在高温热退火的过程中也通有小流量的氧气，从而让一氧化硅气态 不稳定物质即使在高温热退火情况下，也能固定成二氧化硅固体,从而 I 不会爆裂出来。因而有效地改善了这种有源区域损伤的缺陷，使产品 良率从 87.7%提升到 95.9%，同时降低数百万美元的生产成本，获得 巨大的经济效益。 关键词：浅槽隔离，氧化层缺陷，高温热氧化，高温热退火 II STUDY ON THE SOLUTIONS TO THE STI OXIDE AA DAMAGE DEFECTS ABSTRACT The semiconductor integrated circuit takes great changes with the