穿通结构三极管BVCEO仿真分析及一致性提高研究.pdfVIP

  摘 要 从应用角度讲在同样的芯片面积下, 双极晶体管集电极反向击穿电压 BVCEO 与电流输出特性是互相制约的，即 BVCEO 越小电流输出特性越好，其饱和压降、 开关参数在同等条件下比 BVCEO 大的管子都要小一些,用在线路上发热要低一些； 但从安全工作区(SOA) 的角度来看,一般而言,BVCEO 大的管子,SOA 值也要大一些。 这就需要生产过程中能提高对三极管 BVCEO 值的控制能力，为了提高产品的市场 竞争力，在保证安全工作区(SOA)够大的情况下，用更小的芯片面积提供更好电流 输出特性产品，最直接的方法就是尽量将 BVCEO 控制在偏应用下限的水平，也就 是 410-480V 。 本文主要通过结合晶体管原理，通过理论分析三极管的反向击穿机理，推导 出集电极反向击穿电压 BVCEO 值的计算公式，并将公式中所涉及的变量用实际生 产过程中的工艺参数代替，归纳出实际影响 BVCEO 值的工艺变量，进而采取可行 措施使此类变量稳定可控，以达到提高集电极反向击穿电压 BVCEO 值一致性的目 的。 本文主要通过理论分析计算结合设计相应实验,最终依据大量产品的测试数据 的统计结果确定了可以明显提高集电极反向击穿电压 BVCEO 值一致性的工艺改进 措施,主要验证和确认的内容如下: 1. 通过将单晶材料电阻率按照 1 欧姆厘米进行分档，与现行工艺 3-5 欧姆厘米分 档对比，保证整个工艺流程其他各项工艺参数一致，确认批次内 BVCEO 值一致 性差异； 2. 通过调整衬底预淀积程序，对不同批次衬底预淀积表面浓度 Rs 进行差异化控 制，进而保证整个工艺流程其他各项工艺参数一致，确认芯片同片内 BVCEO 值 一致性差异； 3. 总结影响衬底主扩结深一致性及稳定性的工艺和设备因素，提高设备与工艺的 稳定性，确认衬底结深一致性的提高； 4. 通过对现行 CMP 工艺流程的改进，增加化学腐蚀量，减少化学机械抛光量， 提高芯片同片厚度的一致性，进而提高晶体管高阻区宽度的一致性； 5. 设计不同单晶材料电阻率 BVCEO 变化对应厚度变化（△V/△D ）实验模型，结 I   合理论公式推导，验证不同电阻率材料单位厚度变化对BVCEO 变化的影响大小， 指导产品设计时材料的选择; 6. 对大量在线生产品进行随机测试收集数据，统计改进前后 BVCEO 一致性提高 的具体数据。 通过对上述工艺参数的验证，改进了工艺过程中的参数控制方法及部分操作 流程，并在生产中纳入质量管理体系进行推广固化。 关键词: 集电极反向击穿电压 BVCEO ，高阻区宽度，衬底预淀积表面浓度 Rs ，衬 底主扩结深，单晶材料电阻率 II   ABSTRACT From the practical implementation point of view, Bipolar Junction Transistor (BJT) faces a distinct tradeoff between reverse breakdown voltage in collector region (BVCEO) and output current performance. In other words, faster switching, smaller saturation initial voltage and lower circuit power loss could be expected when BVCEO is scaled down. However from the s