铝金属化工艺TiTiNTiAlTiN结构肖特基接触与应力状况的研究.pdfVIP

’ 结构肖特基接触与应力状况的研究 uuD 摘要 丝鲎鬓堡笾篁丛 々々 !塑22站塑薹 摘要 集成电路工艺技术的发展，使得金属化工艺向着结构多层次化发展，根据 上海先进半导体公司的生产实践，本文基于Ti／TiN／Ti／AI／TiN的旺微米金属化 结构，主要研究了硅化物的肖特基接触和金属化的应力状况。 基于TiSi。低电阻率的优点，采用Ti制作肖特基二极管。在VLSI工艺中实 现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管(SBD)的制作。文中用AES 等技术研究不同退火工艺形成的Ti／Si界面形态和结构，寻找完善的工艺设计 和退火条件。此外还测量TiN／Al／TiN／Ti／Si结构的金属硅化物SBD的有关特 性。通过工艺实验确定VLSI中的钛硅化物最佳的制作工艺条件。 VLSI的金属化中，应力引起的失效是个引人关注的问题，应力释放形成空 洞严重影响器件的可靠性。作为扩散阻挡层的TiN，对铝金属层的应力产生很 大的影响，其热应力行为的研究是一个重要课题，通过硅片曲度测量法、Raman 光谱法，XRD法对TiN薄膜的应力进行了测量监控。工艺实践中发现 Ti／TiN厂ri／Al／TⅢ的金属化结构，经过热退火后，铝条上出现空洞。对于铝空洞 形成机理进行的研究与分析，张应力的释放是空洞的成因，而作为浸润层的Ti 与AJ在热退火时，反应生成TiAl3，则是引入的应力形成空洞的主导因素。 本文研究了亚微米多层次化金属化结构的界面及接触特性，说明了界面固 相反应对金属化工艺的可靠性有很大的影响，对生产起了指导作用：对生产工 艺所作的优化，成功应用于先进半导体公司的VLSI的规模生产中，获得良好 的效果。 关键词：硅化物；肖特基势垒；应力；空洞；退火；浸润层 铝金属化工艺TmN厂I似1几’iN 结构肖特基接触与应力状况的研究 Abstract Abstract on BasedTi／TiN／Ti／AI／TiN structure，WeinvestigatedSchottky and ofMetallization， Stress contactofSilicides of Ti to The oflowresi TiSimakesbeneficialbe advantage stivity 2 barrier silicideohmiccontact usetofabricate diodes(SBD)．Ti Schottky and contactcanbeobtainedatthesabletimeinVLSI Schottky process． have usedto The 1ikeAES been advanced techniques investigate analysis afterdifferent to the theinterfaceofTi／Si annealingcyclesoptimize andannealfactors．In