有限深量子阱中电子迁移率的压力效应.pdfVIP

一一一一一一一一一一一一一一一一 有限深量子阱中电子迁移率的压力效应 郝国栋 指导教师:班士良教授 (内蒙古大学理工学院物理系，呼和浩特，01002)1 摘 要 本文考虑量子阱中三类光学声子模的影响，采用介电连续模型，运用力平衡 方程讨论了GaAs/川二Gal一:有限深量子阱中光学声子模对电子平行于界面方向 迁移率的影响及其压力效应，并给出压力下迁移率随温度的变化关系，所得的结 果在零压下与实验相符.同时，还给出了混晶效应对电子迁移率的影响. 采用矩形量子阱模型，利用弗留里希矩阵元处理电子一声子相互作用，同时 计入量子阱结构中局域体光学声子模，半空间体光学声子模及界面光学声子模的 作用，仅考虑电子占据基态时的情形，研究量子阱中电子迁移率的压力效应.对 GAasA/场al扒5量子阱的数值计算结果表明，三类声子对电子的迁移率的影响 分别在不同阱宽时起作用:在宽阱时，局域体声子起主要作用，随着阱宽变窄， 界面声子的影响逐渐增强，在阱很窄时，半空间体模起主要作用.在给定阱宽 L=214A时，当温度较低时，界面声子模对电子的散射高于局域体声子模，随着 温度的增加，体模的作用逐渐增加，且二者对迁移率的影响都不可忽略.三种声 ﹄ ﹄ 子模的散射作用均使电子迁移率随外加压力的增加而减小.与GaAs/AIAs比较， GAas/Alo刃丸达5系统中电子迁移率在阱窄时低，中间阱宽时高，宽阱时二者趋 | 于同一饱和值. 关键词:光学声子模，量子阱，迁移率，压力效应，GAasA/1刀al砚As 1 | | | 一一一一一一一一一一一一一一一一一边 丝宣鑫兰鲤全些业竺文 __ PressureeffeCtnohtemobiliytofelecrotnsniquantumwellswiht细teiba币res GD.HaO DirectedbyProf.S.L.Bna (刀甲口mrtnetofphacsi，ocll明eofcsncel esandTeChn口勿岁，众nerMongOali Un~ 奴月乙hhot01O021，hCi人a) ABSTRACT T五edielectricocntinu切mphononmode1nadofreebalnaceqeuat1onraeadoPtedotnivetsigate hte electron1cmobiliytPraa11e1othte niteri触cesofAIAs/A】xGal咬AssemlconductorqunatUnJ wells 侧th石习itebarrlres under勿drostaticPresurse勿招拓nghte in月une ceof廿止eeki刀dsofOPtlcal Phononmodesintoaccount.ThetemperaUrtedependenceofhte elecrtonicmobilytiisalsosUtdied. Ourresutlsinigoodagremee ni诫hthteexPerimenta】daatatzroePressure Menawhiel，hteeffectof ternraym1xedcrysta1sonhtemobiliytisdiscussed. nI而shtesis，amodelofsq比盯eqUnaUtmwells(QW)sisadoPtedotdiscussPresures effecton hte electronicmobilyti勿assumlnghtatouylhteofwetssubbJaldsiocc叩eid妙hteelcertons.The