GaNAlGaN垂直腔面发射激光器VCSELs的研究.pdfVIP

望一381，，8 摘 要 摘 要 佃化、(GaN)和铝稼氮A(lGaN)宽带隙半导体是高效率蓝光 与紫外光电发射器件的重要材料，具有十分诱人的应用前景。垂直腔 面发射激光器 (VCSELs)具有低阂值电流、单纵模和空间发射模特 性，在光通信、光互连、光信号处理以及光集成元件等方面有着广泛 的应用前景。采用GaN的蓝光VCSELs将是人们研究的热点。尹一 本文建立了一种蓝光垂直腔面发射激光器 (VCSELs)的模型。 它以GaN/AlGaN多量子阱为有源区，室温下连续工作的，电流注入 泵浦，光从顶部射出，发射波长为370nm。根据阂值电流密度最低， 输出功率最高这一原则对该模型的各参数进行了分析设计，得出结论 如下: 对于确定的腔长和端面反射率存在最佳量子阱数，最佳阱数与光 学限制因子、损耗、腔长、端面反射率和增益系数等因素有关，它与 光限制层的纵向限制因子、损耗成正比，与腔长、端面反射率、增益 系数、有源区的纵向限制因子成反比。 最低闺值电流密度条件的最佳温度点与垂直腔F-P模与量子阱增 益峰值能量相等时的温度点不一致，要使激光器工作在预定温度点 上，必须合理设计各参数使