GeSi多层膜的热稳定性研究.pdfVIP

摘 要 磁控溅射技术制备的G/esi多层膜材料存在膜层是非晶态以 及厚度均匀性差等不足，但通过热退火可以提高晶体质量，改善层 状结构。本文采用高温热退火方法，对磁控溅射技术生长的Ge/51 多层膜材料进行了热稳定性研究。主要利用R丑mna 光散射技术对 各样品的再生长机制进行了结构上的讨论。通过分析不同温度、时 间退火后G/esi多层膜的Ralnna谱图，得出了优化多层膜结构的最 佳热处理参数。令验结果显示，对于磁控溅射技术制备的G/esi多 层膜，其最佳退火条件为真空环境下在700℃退火01分钟，为优化 多层膜结构创造了条件。同时对设计结构相同的样品进行相同条件 下的热处理，通过各样品退火前后Ramna谱图的变化，分析了样 品生长态结构对热稳定性的影响，并讨论了其再生长机制。通过对 比讨论发现，样品的生长态结构对其热稳定性质有较大影响，外延 材料的层状周期排列好坏决定了样品的退火性质。界面异质材料的
互‘混、扩散及成岛生长受周期排歹“好坏的影响乡- Abstract ThereareSomanydisadvantagesinGe/Simultilayersmadeby magnetronsputteringinstruments,suchasthattheyareamorphousandbad thicknessuniformity.Butitcanbeimprovedbyannealing.Inthispaper,high temperatureannealingisusedtostudythethermalstabilityofGe/Si multilayersmadebymagnetronsputteringinstruments.Ramanscattering techniqueismostlyusedtodiscussthere-growthofallsamples.By analyzingtheRamanspectraofGe/Simultilayersannealedatdifferent temperatureandtime,wegotthebestparameterofhowtooptimizethe structure勿annealing.ItisshownthatGe/Simultilayershavefineintegrity afterannealedat700'Cfor10minute,whichcreateconditionofimproving thestructureofGe/Simultilayersmadebymagnetronsputtering.Onthe otherhand,samedesignstructuresamplesareannealedatsamecondition.By analyzingthedistinctnessoftheRamanspectraofeverysamplebeforeor afterannealing,westudiedtheinfluenceonthethermalstabilityofsample's as-grownstructure.Wecontrastedanddiscussedallthedistinctnessofthe RamanSpectraanddiscoveredthatthelayerperiod'sstandorfalldetermines thethermalstabilityofGe/Simultilayers,suchasatommixanddiffusein interfaceorislandgrown,whichaffectedbythelayerperiod. 第一章 绪论 '1.1半导体异质材料的发展及应用 自从五十年代人们发明了晶体管以来，硅单晶一直在现代微电子器 件中担任主角，但由于si属间接能隙材料，使其在发光和光探测器中的