任务3半导体基础知识.pptVIP

2、PN结的单向导电性 (2)PN结加反向电压（反向偏置） (2)PN结加反向电压（反向偏置） 二、重点掌握伏安特性 三、了解主要参数 有正向电流流过时发光。电－＞光的能量转换器件。 电路中常用做指示或显示及光信息传送。 1. 各电极电流分配关系及电流放大作用 三、晶体管的共射特性曲线 四、了解晶体管的主要参数 共射交流电流放大系数 1.4 场效应管(FET) 结型场效应管JFET N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 绝缘栅型场效应管MOS 增强型 N 沟道增强型MOS管 P 沟道增强型MOS管 耗尽型 N 沟道耗尽型MOS管 P沟道耗尽型MOS管 一、结型场效应管JFET 1、 结构及电路符号 （1）输出特性曲线： iD=f（uDS ）│UGS=常数 三、场效应管的主要参数 四、场效应管与晶体管的比较 2. 放大条件 内部条件？ 三区掺杂不同！ 发射结正偏，集电结反偏。 对NPN型：VC ＞ VB ＞ VE 对PNP型：VC ＜ VB ＜ VE 二、重点掌握晶体管电流放大作用 外部条件： N P N e b c 电子 空穴 IEN ICN IEP ICBO IE IC IB IBN 空穴流与电流方向相同； 电子流与电流方向相反。 IE=IEN + IEP 且IEN IEP IC= ICN +ICBO ICN= IEN - IBN IB= IEP + IBN - ICBO 推导 3. 了解内部载流子传输过程 对于NPN型三极管，集电极电流和基极电流是流入三极管，发射极电流是流出三极管，流进的电流等于流出的电流，即IE= IB + IC。 发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。 两个二极管能否代替一个三极管？ 不能！ 晶体管各电极电压与电流的关系曲线。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 1. 输入特性 UCE ?1V iB(?A) uBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE=0V UCE =0.5V UCE不变时，呈指数关系曲线 UCE增大时，曲线右移 iB=f(uBE)? UCE=const 2. 输出特性 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 ——iC=f(uCE)? IB=const IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0, IC≈0, UBE 开启电压，称为截止区。 ——iC=f(uCE)? IB=const IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中集电结、发射结均正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 ——iC=f(uCE)? IB=const 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压且集电结反偏， 　　　　　　此时 IB=0 ， IC=ICEO ?0 应当指出，当uCE增大到某一值时，iC将急剧增加，这时三极管发生击穿。 例1：测量三极管三个电极对地电位如图。试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 1.电流放大系数 共射直流放大系数 当ICBO和ICEO很小时，　≈? 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 2. 极间反向电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3. 穿透电流 ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?