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论文题目:电子封装用β-SiC /Al的无压浸渗工艺优化与定型
p
专 业:材料学
硕 士 生:任怀艳 (签名)
指导教师:王晓刚 (签名)
摘 要
随着集成电路的高速发展,高的密封密度对与其匹配的电子封装材料提出了更高的
要求。由于铝具有密度低,热导率高,价格低廉且易于加工的特点,选为制备电子封装
用复合材料的基体,与 SiC颗粒复合,克服了各自的缺点且表现出高导热、低膨胀、高
模量、低密度等优异的综合性能,因此,在电子封装领域具有广阔的应用前景。探求低
成本的制造工艺是当前该材料研究的热点。
用β-SiC制备 SiC /Al复合材料,仅有本课题组开展这方面的研究,前面的工作主要
p
集中在空气气氛中无压浸渗法制备高体积分数的β-SiC /Al 电子封装材料及其性能研究
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上,本文重点开展了对无压浸渗预制型的研究,包括粘结剂含量、压力大小和造孔剂添
加量对预制型性能的影响,从而确定最优的模压工艺参数;对 Al 基体以及颗粒级配优
化以改善复合后β-SiC/A1复合材料的性能;通过对β-SiC/A1复合材料的无压浸渗工艺参
数的研究,主要包括预浸渗温度和保温时间,最终确定电子封装用β-SiC /Al复合材料的
p
无压浸渗制备工艺。
获得的主要结果有:1.粘接剂聚乙烯醇(PVA)的加入量为β-SiC质量的 3~5%,压制
80MPa β-SiC 2. Mg 9%
压力为 时, 预制型的成型性及其性能都较好。 最佳的 添加量为 ,
Si 10% 3. 5μm 46μm β-SiC
最佳的 添加量为 。 在 和 的双尺寸 颗粒级配的情况下,预制型
52% 72%
的体积分数随粗细颗粒配比的不同可从 到 之间进行调节,预制型的粗细颗粒质
量比为 3:1的时候体积率可以达到最大为 72%,且制备的复合材料较单一粒度 14μm的
颗粒制备的复合材料的热导率和热膨胀系数均有明显提高。4.优化所得到的浸渗工艺为:
在浸渗之前对 SiC预制型预热到 720℃,Al-9Mg-10Si 的铝合金在 1050℃保温 2 小时得
β-SiCp/Al 5.
到的 复合材料充分致密化而未发生过度的界面反应。 采用双颗粒级配,在优
-1 -1
化工艺参数条件下制备的β-SiCp/Al复合材料的热导率达 182W٠m ٠K ,热膨胀系数值
-6 -1
为 6.4×10 K ,可以达到电子封装的要求。
关 键 词:β-SiC /A1;电子封装;无压浸渗;复合材料;模压成型;基体合金化;工
p
艺优化
研究类型:应用研究
Subject :Pressureless Infiltration Process Optimization and
Subject :Pressureless Infiltration Process Optimization and
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