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薄膜技术与薄膜材料 主讲教师：张显 E-mail：zhxian@mail.xidian.edu.cn 电子材料与元器件教研室 绪论 一、本课程主要内容： 薄膜制备的真空技术基础 薄膜的物理气相沉积—蒸发法 薄膜的物理气相沉积—溅射法及其它PVD法 薄膜的化学沉积 薄膜的生长过程和薄膜结构 薄膜材料的表征方法 薄膜材料及其应用 二、要求 了解并掌握薄膜材料最基本的制备技术和表征方法，最基本的薄膜生长理论和几个典型的应用； 多思考，多想象，多实践； 有一定的作业任务； 考查: 考试与读书报告 三、参考书 1 郑传涛，薄膜材料与薄膜技术，化学工业出版社，2004。 2 顾培夫，薄膜技术，浙江大学出版社，1990 。 3 杨邦朝、王文生，薄膜物理与技术，电子科技大学出版社，1994 。 4 王力衡、黄运添、郑海涛，薄膜技术，清华大学出版社，1991 。 第1章 薄膜制备的真空技术基础 1.1 气体分子运动论的基本概念 1.2 气体的流动状态和真空抽速 1.3 真空的获得与真空泵简介 1.4 真空的测量 1.1 气体分子运动论的基本概念 1、气体分子的运动速度及其分布 气体分子运动论认为： 气体的大量分子每时每刻都处于无规则的热运动之中，其平均速度取决于气体所具有的温度；同时，在气体分子之间以及气体分子与容器壁之间，发生着不断的碰撞过程，这种碰撞过程的结果之一是使气体分子的速度服从一定的统计分布。气体分子的运动速度υ服从麦克斯韦尔-玻耳兹曼（Maxwell-Boltzmann）分布： （1-1） 式中，M为气体分子的相对原子质量，T为热力学温度，R为气体常数。气体分子运动速度的一维分量υi （i=x,y,z三个坐标分量方向)均满足分布函数： （1-2） 上式表明：气体分子的速度分布只取决于分子的相对原子质量M与气体热力学温度T 的比值。 根据式1-1，还可以求出气体分子的平均运动速度： （1-3） 可见：温度越高、气体分子的相对原子质量越小，则分子的平均运动速度越大；不同种类气体分子的平均运动速度也只与T/M的平方根成正比。  在常温条件下，一般气体分子的运动速度是很高的。比如在T=300K时，空气分子的平均运动速度υa ≈ 460m/s。  同时由气体的速度分布函数还可以证明，每摩尔气体分子的动能等于（3/2）RT，也只与其热力学温度有关。 2、气体的压力和气体分子的平均自由程 （1）气体的压力 气体分子与容器壁的不断碰撞对外表现为气体具有一定的压力。 理想气体的压力p与气体分子的动能，或者说是与气体的热力学温度成正比，用理想气体状态方程式描述： （1-4）