第3章.半导体物理半导体中载流子的统计分布.ppt

对于边长为L的立方晶体 kx = 2 π nx/L (nx = 0, ±1, ±2, …) ky = 2 π ny/L (ny = 0, ±1, ±2, …) kz = 2 π nz/L (nz = 0, ±1, ±2, …) 对于实际半导体材料(等能面为椭球面，极值不一定在k＝0) 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度 练习 P102－3； P102－6； 作业 P103－9； P103－13②③④; 1.考虑含少量受主杂质的n型半导体（ND＞NA） 极低温度下：NC’很小，NC’NA， 作业 P103－14； P103－16； 思路：强电离区 全部电离： 代入EF 未电离取10％ 如若施主全部电离的大约标准是90％的施主杂质电离,那么D—约为10％。掺磷的n型硅，室温时Nc＝2．8×1019cm3, △ED＝0.044eV, k0T＝0.026eV， 得磷杂质全部电离的浓度上限为： ≈3×1017cm3 4.计算少数载流子浓度（强电离情况下）： （1）n型半导体 （2）p型半导体 3.5一般情况下的载流子统计分布 平衡条件下半导体中载流子统计分布处理方法： 对于同时含有施主和受主杂质的一般情况下： 含有的导带电子、价带空穴、电离施主、电离受主等四种电荷 方法：利用电中性条件→确定该状态的费米能级→T、EF确定后， 计算导带中的电子浓度n、价带中的空穴浓度p、及杂质能级上的载流子浓度等 热平衡条件下净空间电荷密度ρ为： 利用电中性条件： 半导体中同时含有—种施主杂质和一种受主杂质情况下的电中性条电中性条件： 电中性的意义：半导体单位体积内的正电荷数(价带中的空穴浓度与电离施主杂质浓度之和)＝单位体积中的负电荷数(导带中的电子浓度与电离受主杂质浓度之和)。 当半导体中存在着i种施主杂质和j种受主杂质时，电中性条件是： 考虑只同时含有—种施主杂质和一种受主杂质情况下的半导体： 从此方程计算费米能级很复杂 （1）在温度很低时，施主杂质电离很弱 本征激发作用忽略不计，施主未完全电离、EF在施主能级ED附近而远在受主能级之上，则：po＝o，pA＝o， 。 施主能级上的电子，一部分用于填充受主能级．一部分被激发到导带，还有一部分留在施主能级上。 代入nD表达式 施主杂质未完全电离时载流子的普遍公式： 其中： 因ND＞NA，若 ND-NA＞2NA时．则从上式可知EF＞ED，即EF在ED之上。又当T=0时，ED和EF重合。 分两种情况讨论： 低温下，施主浓度比受主浓度大很多，即ND＞NC’NA， 等效于3.4节n型杂质半导体低温弱电离区的情况 4.载流子浓度乘积n0p0 讨论： 电子和空穴浓度乘积和费米能级无关 。 一定的半导体材料（ Eg确定），n0p0是决定于温度T，与所含杂质无关。 T一定时， n0p0与Eg有关。 这个关系式适用于热平衡状态下的非简并半导体 （本征、 杂质半导体）。 T、半导体材料（Eg）确定后，n0p0一定， n0↑，p0↓ 3.3 本征半导体的载流子浓度 本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体。 T=0K：价带全满，导带空 T0K：本征激发，电子和空穴成对出现，n0=p0 n0=p0 取对数 Nc、Nv代入 所得本征半导体的费米能级EF常用Ei表示 intrinsic (1)本征半导体的费米能级 讨论: EF约在禁带中线附近 1.5k0T范围内 本征半导体费米能级Ei基本上在禁带中线处 例外：锑化铟，室温时Eg≈0.17eV, , Ei已远在禁带中线之上 本征载流子浓度 ： 一定的半导体材料(Eg)，ni随温度的升高而迅速增加。 同一温度T时，不同的半导体材料，Eg越大，ni越小。 说明：在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关，即上式适用于本征、以及非简并的杂质半导体。 本征： 非简并： (2)本征半导体的载流子浓度 将Nc，Nv表达式代入 h、k0 的数值，电子质量m0 据此，作出 关系曲线，基本上是一直线 讨论： 一般半导体中，载流子主要来源于杂质电离，而将本征激发忽略不计。 在本征载流子浓度没有超过杂质电离所提供的载流子浓度的温度范围，杂质全部电离，载流子浓度是一定的，器件才能稳定工作。 每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温