项目五太阳电池的检测.pptVIP

（7）印刷偏移及图片示例 A级: 　　位移偏差≤0.75㎜ 　　　角度偏差≤0.5° 新的标准：位移偏差≤0.5mm　　　　　　角度偏差≤0.3o B级: 　　 位移偏差≤1.0㎜ 　　　 角度偏差≤0.5° 新的标准：0.5mm＜位移偏差≤1.0mm　　　角度偏差≤0.3o C级: 　　　　 位移偏差＞1.0㎜ 　　　　　 角度偏差＞0.5° 新的标准：　位移偏差1.0mm和（或）　　　　　角度偏差0.3o 缺陷片: 电极图形超出C级降级片的范围(即A级、B级、C级均不允许电极图形超出太阳电池边缘,C级背电场除外) 报废片: 无 （8）TTV(即单片电池片最厚与最薄的误差)及图片示例 A级: TTV的变化＜电池片标称厚度的15% B级:及图片示例 TTV的变化＜电池片标称厚度的25% C级: TTV的变化≥电池片标称厚度的25% 缺陷/报废片: 无 注:电池片标称厚度以硅片的标称厚度值为准（５点测量法） 新的标准：与旧的标准相同 （9）铝珠、铝苞(不论其位置,一律按≤40um不做铝苞片 )及图片示例 A级: 铝苞不论其位置,铝苞高度在40um~0.15㎜范围内,数量不限. 　新的标准：铝苞不论其位置，铝苞高度为≤75um，数量不限 B级: 铝苞不论其位置,铝苞高度在0.15 ㎜ ~0.25㎜范围内,数量不限. 　新的标准：铝苞不论其位置，铝苞高度为75～150um,数量不限 C级: 无 缺陷片: 超过B级铝苞范围电池片的要求 报废片: 无 注:以上铝苞状况均应为非尖锐形,如为尖锐形则应交由制造人员进行返工(铝珠同尖锐形铝苞的处理),返工后的铝苞片需依据以上规则重新判定. 铝苞 铝珠 主栅线: A级:主栅线允许有轻微断线、缺失、扭曲、突出,断线和缺失面积不超过主栅线面积的5%, 扭曲突出不超过正常位置的0.2㎜,不允许有变色现象(烧焦、发黄). 新的标准：主栅粗细均匀，不允许有断线、缺失、扭曲以及突出． B级:断线和缺失面积不超过主栅线面积的10%,扭曲突出不超过正常位置的0.2㎜,不允许有变色现象(烧焦、发黄). 新的标准：主栅线粗细均匀，允许有轻微断线、缺失面积不超过主栅线总面积的5％,扭曲以及突出不超出正常位置的0.2mm；不允许有变色现象（烧焦、发黄等）． C级:断线和缺失面积不超过主栅线面积的20%,扭曲突出不超过正常位置的0.5㎜,不允许有变色现象 新的标准：主栅线：断线、缺失面积不超过主栅线总面积的20％,扭曲、突出不超出正常位置的0.5mm． （10）印刷图形及图片示例 A级:副栅线允许粗细不均匀,存在宽度大于0.13㎜,小于0.18㎜的副栅线,断栅线≤6条,断线距离≤2㎜,允许有轻微虚印、缺印,面积小于电极总面积的5%． 新的标准：副栅线清晰，允许在两条主栅线间存在断线，断开数量≤3条，断开距离≤0.5mm；不允许有任何虚印、粗点；不允许有变色现象． B级:允许粗细不均匀,存在宽度≤0.25㎜的副栅线,断栅线≤10条,断线距离≤2㎜,允许有轻微虚印,其面积小于电极总面积的10%． 新的标准：允许在两条主栅线间存在断线，其0.5mm＜断开距离≤1mm的副栅线，3条＜断开数量≤6条，允许有轻微虚印，面积小于副栅线总面积的5%；不允许有变色现象． C级:允许粗细不均匀,存在宽度≤0.3㎜的副栅线,断栅线≤10条,断线距离≤2㎜,允许有轻微虚印,其面积小于电极总面积的30%． 新的标准：副栅线1mm＜断开距离≤2mm，断栅线数量不限，轻微虚印面积小于电极总面积的30％． 副栅线: A级:背电极允许有轻微断线、缺失、扭曲、突出,断线和缺失面积不超过背电极面积的5%, 扭曲突出不超过正常位置的0.5㎜, 变色面积不超过背电极总面积的5%． 新的标准：背电极图形清晰，粗细均匀，不允许有断线、缺失、扭曲以及突出；不允许有变色现象． B级:背电极断线和缺失面积不超过背电极面积的10%, 扭曲突出不超过正常位置的1.0㎜, 变色面积不超过背电极总面积的10%. 新的标准：背电极断线、缺失面积不超过背电极总面积的5％，扭曲、突出不超出正常位置的0.5mm；变色面积不超过背电极总面积的5％． C级:背电极断线和缺失面积不超过背电极面积的30%, 扭曲突出不超过正常位置的1.0㎜, 变色面积不超过背电极总面积的20%. 新的标准：断线、缺失面积不超过背电极总面积的30％，扭曲、突出不超出正常位置的1.0mm；变色面积不超过背电极总面积的20％． 背电极: A级:背电场完整,厚薄不均,允许有缺失,缺失面积不超过背电场总