第九章 嵌入式系统的硬件设计31118.pptVIP

第九章：嵌入式系统的硬件设计 9.1 SDRAM硬件设计 9.2 FLASH硬件设计 9.3 键盘硬件设计 9.4 PCB设计注意事项 9.1 SDRAM硬件设计 SDRAM芯片： HY57V561620CT-H :4Bank×4M×16bit 地址：001 Row Address：A0～A12 Column Address：A0～A8 [2**(13＋9）＝4M×16bit/bank] BA0:ADDR24;BA1:ADDR25 两片SDRAM并联为32bit、64Mbyte。 9.1 SDRAM硬件设计 SDRAM引脚说明: clk－系统时钟输入 Cke－时钟使能 BA0/BA1－bank选择地址 /RAS－行地址使能命令 /CAS－列地址使能命令 /WE－写入使能 LDQM－低地址输入/输出屏蔽 UDQM－高地址输入/输出屏蔽 /CS－片选使能 A0～A12－地址输入 DQ0～DQ15－数据输入输出 VDD－电源；VDDQ－I/O口电源 VSS－地；VSSQ－I/O口地 9.2 FLASH硬件设计 Flash有两种：Nor flash和Nand flash，二者区别： 性能比较－－NOR的读速度比NAND稍快一些 、NAND的写入速度比NOR快很多 、NAND的200us块写入和2ms的块擦除；Nor flash块擦除时间20ms。 接口差别－－NOR?flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 容量成本－－NAND?flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半 ，NOR?flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND?flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，。 可靠性和耐用性 －－在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。 9.2 FLASH硬件设计 易使用性 －－直接地使用基于NOR的闪存，直接运行代码 ；在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。 NOR的特点是芯片内执行(XIP,?eXecute?In?Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND的特点是提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 9.2 FLASH硬件设计 Norflash芯片： SST39VF1601：1M×16bit＝2MB 地址：00x001fffff （地址总线：ADDR0～ADDR19） Norflash引脚： /CE－片选使能 /OE－输出使能 /WE－写使能 DQ0～DQ15：数据输入/输出 A0～A19：地址输出 VSS－地 VDD－电源 9.2 FLASH硬件设计 Nand flash芯片： K9F1208：64M×8bit＋2M×8bit其中： 数据：4plane×1024block×32page×512byte。 寄存器：4plane×1024block×32page×16byte。 读取以page为单位，擦除以block为单位。 Nand flash引脚： I/O0~I/O7－数据输入/输出 CLE－命令锁存使能 ALE－地址锁存使能 /CE－片选使能 /WE－写使能 /RE－读使能 /WP－写保护 R/B－读/忙输出 VCC－电源 VSS－地 9.2 FLASH硬件设计 Flash详细硬件设计见电路图。 Flash的编程实现见实验八。 9.3 键盘硬件设计 键盘采用行列中断扫描 9.3 键盘硬件设计 键盘的设计及实现详见实验七 注意： 其他硬件电路的设计在电路图上讲。 9.4 PCB设计注意事项 S3C2410的板层安排： 9.4 PCB设计注意事项 BGA封装 PCB布线 9.4 PCB设计注意事项 S3C2410的布线方法： 红色－toplayer，在toplayer走线。 棕色－toplayer to midlayer1盲孔，在midlayer1走线。 绿色－toplayer to midlayer2盲孔，在midlayer2走线。 蓝色－toplayer to bottom layer盲孔，在bottom layer走线。 9.4 PCB设计注意事项 数