石英衬底上多晶Si薄膜的制备与电学特性的研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 多晶硅（pc-Si）薄膜作为一种光电信息材料, 有着不同于体材料的许多物理特性， 这使其在光伏器件中有着潜在的应用价值。本工作以石英玻璃为衬底，利用高频化学气 相淀积（HFCVD）和低压化学汽相淀积（LPCVD）两种不同的方法生长多晶 Si 薄膜，通 过改变生长条件来生长不同厚度和不同结晶质量的多晶 Si 薄膜。对 HFCVD 生长的多晶 Si薄膜，得到晶粒尺寸为1～3μm ，且排列致密的多晶硅薄膜，实验采用高温扩散炉对 其进行了不同温度和时间的高温硼（B）掺杂，然后对其电学特性进行测量，得到了最 小方块电阻为 100Ω/ □；对 LPCVD 生长的多晶 Si 薄膜，采用不同温度和时间的热退火 处理，观察退火温度和时间对多晶硅薄膜结晶质量的影响，实验发现随着生长温度的升 高，多晶硅薄膜的晶粒尺寸变大；对其进行原位掺杂生长和后退火处理，发现生长温度 和退火处理都能减小其方块电阻，并得到退火后最小方块电阻为 45Ω/ □。实验采用扫 描电子显微镜（SEM）、X-射线衍射仪(XRD)等测试手段对两种方法生长的多晶硅薄膜样 品的表面形貌、生长晶向进行了结构表征和测试分析，研究了不同生长条件对pc-Si薄 膜生长的影响，结果表明，随着生长温度的增加多晶 Si 薄膜的晶粒尺寸随之增加，并 且其结晶质量也得到进一步的优化；反应浓度和生长压强等条件对薄膜的生长速率有着 显著的影响。测试发现，生长的多晶Si薄膜出现三个方向的晶向111、220、311， 其择优取向为111晶向。利用四探针测试仪和霍尔效应测试仪对掺杂后的多晶Si薄膜 的电学特性进行了测试，探讨了薄膜结构和掺杂条件对pc-Si薄膜电学性质的影响，实 验数据表明，随着扩散温度的升高和扩散时间延长有助于pc-Si薄膜的重结晶，减少晶 粒边界的缺陷，进一步激活杂质原子。扩散温度和扩散时间的增加也有助于杂质向多晶 Si薄膜内部进行扩散，从而使pc-Si薄膜的方块电阻变小。同时对掺杂前后pc-Si的光 反射谱进行了测量，研究了生长条件和掺杂条件对pc-Si薄膜的反光特性的影响，得出 生长和退火温度的增加能增大薄膜对光的吸收性，在622nm 处反射率最小，约为 18.24%。 关键词 多晶Si薄膜 电学特性 结构表征 表面形貌 热扩散 光反射特性 I Abstract Abstract The polycrystalline silicon(poly-Si) thin-films have many potential applications in the photovoltaic devices. The poly-Si thin films on the quartz glass substrate were grown by high-frequency chemical vapor deposition (HFCVD) and low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), By changing the growth temperature, gas concentration, reaction time and pressure to grow poly-Si films with different thickness and quality, the grains size are 1～ 3μm. B-doped poly-Si films were grown in high temperature diffusion furnace, and their Ω □ electrical properties