SU-8光刻工艺和DEM技术中塑料深层刻蚀工艺的研究.pdf

＼ sU一8光刻工艺和DEM技术中塑料深层刻蚀工艺研究 摘要 SU．8是一种负性近紫外厚光刻胶，它光敏性好，深宽比大，侧 壁陡直，抗腐蚀，适用于微机电系统，uv—LIGA和其他厚膜超厚膜 应用。本论文研究了衬底类型，基片预处理，前烘温度和时问，曝 光时间，中烘温度和时间，显影方式等工艺参数对SU．8光刻胶图形 ， 质量的影响。。包括与衬底的附着力、光刻胶图形与掩模板图形的线 宽偏差△，成品率，光刻胶表面“开裂”和“毛边”现象的程度等。 u m和150m厚SU．8的最佳光刻工艺参数，比较 分别得到了301．t 了不同工艺路线的优劣，所得图形深宽比最大达26。， ’ DEM技术是一种价格低廉的准LIGA披术，本论文研究了DEM 技术中利用反应离子刻蚀工艺深层刻蚀塑料PMMA的工艺。主要研 究了刻蚀功率、工作气压、刻蚀气体流量、不同气体成份配比等对 刻蚀速率、侧壁和底面状态等的影响，并采用了反应离子刻蚀与超 m，深宽比5， 声(或兆声)清洗相结合的刻蚀方法，得到了高5011 侧蹙陡真光滑，底而干净的刻蚀效果。‘ ’ m的微流 另外，本文还利用DEM技术和SU．8做出了高200u 量计和微透镜，证明这两种工艺是可行的。 关键词 SU．8，DEM技术，厚光刻胶，高深宽比，uV．LIGA，反 应离子刻蚀，微流量训‘，微透镜 sTUDYTHEI朋mOGRAPHYPROCESSoFSU$AND ON INDEM PLASTICDEEPETCHINGPROCESSTECHNIQUE ABSTRACT thick material isanew near-UV SU．8 negative—tone photoresist．This has thatare toMEMS as properties helpful applications，such good excellent sidewall and profiles sensitivity,high—aspect—ratios，vertical harsh hundreds to resistanceplating ina this studied achieved micronscanbe thesis，we of singlecoating．In on resiststructurewhich