低能N_离子注入诱变选育云芝高产抗病菌株的研究_蒋益.pdfVIP

育 种 驯 化 diblefungi 2014（2） + 低能N 离子注入诱变选育云芝高产抗病菌株的研究 蒋 益 郑惠华 刘广建 全卫丰 薛 璟 季宏更 汪 洁1 2 1 1 1 1 1* （1江苏省苏微微生物研究有限公司，江苏无锡214063；2江苏安惠生物科技有限公司，江苏南通226009） 摘 要 + 应用低能N离子注入筛选所得高产抗病融合云芝菌株 培养基：马铃薯200g（煮后取汁），葡萄糖20g，MgSO4 0.5g， 原生质体进行诱变，以获得一株产量更高，抗病性更强，适用于 KH2PO 1g，水1000mL，pH 自然。袋料栽培培养基：棉子壳4 栽培的诱变菌株。试验确定了低能N+离子注入的适宜参数：注 83%，麸皮15%，蔗糖1%，石膏粉1%。水分的含量以用手用 14 2 -3 入剂量为9×10 ions/cm ，注入能量20KeV，靶室真空度10 Pa， 力挤压可挤出1~2滴为宜。 以5s脉冲式注入，间隔时间为15s。离子注入后，筛选酯酶同 1.2 试验方法 工酶酶谱存在显著差异和拮抗实验呈阳性的突变菌株，分别以 + 1.2.1 低能N 离子注入诱变 液体发酵生物量及固体栽培子实体转化率、对病菌平均抗性水 1.2.1.1 离子注入前处理 取0.1mL云芝原生质体悬液（104个/mL） 平为初筛和复筛标准，经遗传稳定性实验验证，筛选到了一株 涂布于无菌平皿中央，于超净工作台中快速涂匀风干后立即 云芝高产抗病菌株，其子实体产量较对照菌株提高了10.3%，抗 + 进行低能N+离子注入。 病水平提高了5%。结果表明：低能N 离子束注入是一种较为 理想的云芝诱变育种手段。 1.2.1.2 低能N+离子注入 离子注入前，LZD-900型离子注 关键词 云芝 低能N+离子 诱变育种 入机开机预热2h，用紫外线对靶室持续消毒30min，调节靶 -3 + 文章编号 1000-8357（2014）02-0018-03 室真空度为10 Pa，注入物质N离子提前加速到20KeV，后 以2×1012 ions/（cm ·s）的脉冲率对样品进行剂量分别为300、2 云芝（Coriolusversiolor ）又称彩绒革盖菌、杂色云芝等， 600、900、1200、1500、1800×1012ions/cm 的注入。试验组采2 隶属于担子菌亚门、层菌纲、非褶菌目、多孔菌科、革盖菌属， 用间歇式脉冲注入，连续注入5s后间隔15s，对照组置于靶 是一种重要的药用真菌[1]。云芝在我国被广泛用于治疗癌症 室真空中，不经离子注入。 和免疫缺陷等疾病[2]。目前国内外云芝的品种聊聊可数，尤 1.2.2 原生质体存活量统计 离子注入后用1mL0.6M蔗糖 其缺乏抗病高产、生物性状优异的云芝菌株，且对云芝的研