假塑性流体纳米压印中影响填充度的因素.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 18 (2013) 188105 假塑性流体纳米压印中影响填充度的因素* 夏委委 郑国恒 李天昊 刘超然 李冬雪 段智勇† ( 郑州大学物理工程学院, 郑州 450001 ) ( 2013年4月17 日收到; 2013年6月4 日收到修改稿) 作为新一代的半导体加工工艺, 直接金属纳米压印以其步骤简单、成本低等显著优点得到迅速的发展. 然而目 前纳米压印中所采用的转移介质在流动状态下为牛顿流体, 牛顿流体的黏度是一个常量, 而假塑性流体具有黏度随 着剪切速率的增大而逐渐减小的趋势, 更适用于纳米压印. 综合假塑性流体的剪切稀化特性以及直接金属图形转移 的优点, 将不同大小的金属纳米粒子分散在基液中制成假塑性金属纳米流体并将其作为转移介质用于纳米压印中. 基于假塑性流体的Carreau 流变模型利用COMSOL 软件仿真分析金属纳米粒子假塑性流体参数集对图形压印转移 的影响, 完成假塑性流体与牛顿流体分别作为转移介质实现图形转移的对比分析. 同时还得到了压印过程中影响填 充度的各个因素, 如流体黏度、施加压强、掩模板移动速度等. 研究工作为金属纳米粒子假塑性流体制备以及纳米 压印流程的设计提供了理论基础. 关键词: 纳米压印, 假塑性流体, 填充度 PACS: 81.16.Nd, 81.16.Rf, 85.85.+j DOI: 10.7498/aps.62.188105 脱等步骤, 这在一定程度上影响到了图形转移精度 1 引言 以及批量生产的效率. 1.1 直接金属图形转移 在半导体加工工艺中, 随着半导体器件特征尺 寸的减小, 传统的光刻技术已经很难满足小尺寸器 金属图形直接转移是纳米压印技术的新方法, 件制备的需要, 因此新一代的半导体加工技术的出 工艺步骤少, 产量高. 目前已报道三种技术方案, 1 8 现是必然的. 1995 年, Chou 等 提出了纳米压印 Chou 等 在基片上淀积一层金属薄膜, 利用高功 (NIL) 的思想, 纳米压印指的是通过掩模板利用转 率激光快速熔融金属层, 将掩模板压入后分离实现 移介质将图像转移到基板上, 主要包含以下几个步 金属图形直接转移. 这种方法需要大功率的激光 骤: 压印、脱模、刻蚀、淀积、容脱等. 相比于传 9 器而且难以实现大面积晶圆加工. Chen 等 利用 统的光刻技术, 纳米压印因其生产效率高、原理简 线条极为锐利的掩模板在淀积有金属薄膜的基片 单、图形转移精度高等显著优势得到了迅速的发 上直接压出图形, 为缓冲压力对掩模板和基板的损 展. 自纳米压印提出以来, 国内外的学者已经开展 毁, 需要在金属层下先旋涂一层弹性膜. 这种方法 2 了各个方向的研究, 例如掩模板的制造 、光刻胶 对掩模板物理特性要求极高, 掩模板制备难度大、 3 的选取 以及压印方式的优化等等. 目前实现纳 使用寿命短, 而且金属层下面的弹性膜很难去除. 4 5 10 米压印的方式有很多: 热塑压印 、紫外压印 、 Yao 等 对金属薄膜压印直接成形相关参数如温