PIN型和NIP型硅薄膜太阳电池中绒面陷光结构和陷光性能研.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 12 (2013) 120101 PIN 型和NIP 型硅薄膜太阳电池中绒面陷光 结构和陷光性能研究* † 于晓明 赵静 侯国付 张建军 张晓丹 赵颖 ( 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071 ) ( 2012年7月30 日收到; 2013年2月7 日收到修改稿) 对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN 型还是NIP 型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率 是提高太阳电池效率的重要方法之一. 本文采用标度相干理论对PIN 和NIP 型电池的绒面结构的陷光性能进行了 数值模拟. 结果表明: PIN 电池中前电极和NIP 电池中背电极衬底粗糙度分别为160 和40 nm 时可获得理想的陷光 效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H 电池发现, 使用40 和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果. 关键词: 陷光结构, 光散射能力, 标量相干理论, 硅基薄膜太阳电池 PACS: 01.50.ff, 61.43.Bn, 61.43.Dq, 88.40.jj DOI: 10.7498/aps.62.120101 致界面处缺陷态的增多, 使得太阳电池效率降低或 1 引言 失效5614 . 因此, 选择粗糙度大小合适的绒面衬底 对于硅薄膜电池非常重要. 硅薄膜电池通常受到材料电学性能限制而比 PIN 和NIP 型太阳电池光散射如图 1 所示. 较薄(约为300—2000 nm), 从光吸收角度来看, 这 PIN 型太阳电池中, 入射光首先经过绒面前电极, 样的厚度很难保证长波光的充分吸收. 提高电池效 然后才被太阳电池吸收, PIN 电池中光散射是通过 率就必须提高电池的光吸收效率, 就需要设计具有 TCO 薄膜透射所致散射; 而在NIP 型太阳电池中, 陷光结构的薄膜电池, 使光在电池吸收层内多次通 入射光首先被太阳电池吸收, 然后才到达绒面背电 过来提高长波光吸收率14 , 从而提高太阳电池性 极, NIP 太阳电池光散射是通过背反电极反射所产 能. 根据硅薄膜太阳电池结构的不同, 陷光结构也 生. 虽然PIN 型和NIP 型太阳电池中都采用绒面陷 有所不同: PIN 型太阳电池中采用ZnO 或SnO2 等 光结构, 但两种电池结构的不同必将导致绒面结构 59 绒面前电极 , 而NIP 型太阳电池中采用Al/ZnO 对光的散射有所不同. 本文采用标量相干理论研究 或Ag/ZnO 绒面背电极1013 . PIN 型和NIP 型太阳电池中绒面陷光结构对提高 标量相干理论是研究光在电池中传播和散射 太阳电池光吸收性能作用的影响, 通过在不同大小 的主要理论1519 . 当前的研究都是将此模型直接 表面粗糙度背电极衬底上制备NIP 型a-SiGe:H 电 应用到PIN 或NIP 的电池结构当中2024 , 而对衬 池来验证理论分析, 理论分析与实验均表明背电极 底粗糙度大小没有明确的理论依据. 使用粗糙度太 衬底表面粗糙度在40 nm 时NIP 电池即可获得较 小的衬底无法实现陷光; 衬底粗糙度过大通常会导 高的光吸收. * 国家高技术研究发展规划(