多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜电沉积制备.pdfVIP

多孔TiO2 基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备 杨靖霞，石勇，杨建立，靳正国 天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室，天津（300072 ） E-mail：yjx09tj@ 摘 要：采用电化学沉积法，以硫酸铜、硫酸铟和二氧化硒为原料，在多孔TiO2 基底上于 沉积电位-1100mV 成功沉积制备出CuInSe2 薄膜。直接沉积的薄膜已有CIS 结晶，但400 ℃ 下热处理，可以明显提高其结晶程度并改善光学性能。TiO2 基底上CIS 薄膜的禁带宽度为 0.89~0.92eV。 关键词：CuInSe2 薄膜；阴极电沉积；TiO2 基底；热处理 中图分类号：O614.242 1. 引 言 三元半导体化合物 CuInSe2 由于合适的禁带宽度（1.04eV），且具有高的光吸收系数 （α10-5cm-1 ）和能量转换效率（17%），已成为理想的光伏电池材料之一。近年来，以纳 米/微米结构的 TiO2 为基底的无机半导体极薄层吸附的太阳能电池(extremely