第10章 MCS-51单片机系统扩展-第2部分.docVIP

10.5 存储器扩展 10.5.1 存储器扩展概述 1. 80C51单片机的存储器扩展 80C51单片机地址总线宽度为16位（P0口为低8位，P2口为高8位），片外可扩展的存储器最大容量为64KB，地址为0000H～FFFFH。因为程序存储器和数据存储器是通过不同的控制信号和指令进行访问【程序存储器用单片机的引脚，数据存储器用和引脚】，允许两者的地址空间重叠（或相同）。所以片外可扩展的程序存储器与数据存储器分别都为64KB。 【强调：程序存储器用单片机的引脚，数据存储器和IO接口用和引脚】 【用串行通信中的情况来解释，以便相互联系地进行理解。类似于串行的SBUF，地址都为99H，一个只能读出，一个只能写入；例如用74LS244和74LS273的例题，对输入和输出，也是用的相同地址】 2. 存储器扩展的一般方法 不论何种存储器芯片，其引脚都是用三总线结构（AB、DB、CB）和单片机连接都是三总线对接。 存储器编址分两个层次： （1）存储芯片的选择（用高位地址线进行片选【线选或译码输出】）； （2）芯片内部存储单元的选择（用低位地址线）。 如下图，如果存储器芯片容量为2KB，则需要地址线为11根，芯片的引脚可以与地址总线的低11位A0～A10相连，用于选择芯片内的具体字节存储单元。如果用地址总线的A14、A13、A12、A11四根地址线参加译码来选择芯片,A15不参与译码【例如用74LS154，4-16】，如果选择这四根地址总线的状态为0010时选中该芯片。由于地址总线A15不参加译码，所以当A15A14A13A12A11=00010（或10010）时，都可以选中该存储器芯片。 当A15=0时，芯片占用的地址是：【地址不连续】 0001 0000 0000 0000～0001 0111 1111 1111，即1000H～17FFH。 当A15=1时，芯片占用的地址是： 1001 0000 0000 0000～1001 0111 1111 1111，即9000H～97FFH。 10.5.2 程序存储器的扩展 程序存储器中的信息要用特殊方式写入(程序、常数、表格数据)，断电后可保持信息不丢失。单片机系统工作时，程序存储器中的信息只能读出。 向程序存储器中“写入”信息称为程序存储器编程。根据编程方式不同，分为以下几种。 （1）ROM。（Read Only Memory）在制造过程中编程，是以掩模工艺实现的，因此称为掩模ROM。由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只能读。这种芯片存储结构简单，集成度高，但由于掩模工艺成本较高，因此只适合于大批量生产。【计算机中的BIOS芯片采用】 （2）可编程ROM（PROM）。芯片出厂时没有任何程序信息，用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不能再次改写。 （3）EPROM。使用专用的编程器将调试完毕的程序写入。如果要改写其中的程序，必须用紫外线照射芯片外壳的中间位置的圆形窗口【大约需要几分钟时间】，清除掉其中的程序后（二进制代码），可再次写入。程序写入后，要在圆形窗口上贴上挡光贴片，以防紫外线照射。【医院的紫外线灯，太阳下照射】 （4）E2PROM（EEPROM）。既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能在掉电时保存信息，具备RAM、ROM的优点，但写入时间较长。 对E2PROM的读写操作与RAM存储器几乎没有什么差别，只是写入的速度慢一些，但断电后仍能保存信息，对数据的保存期为10年。 （5）Flash ROM。 又称闪速存储器（简称闪存），是在EPROM、E2PROM的基础上发展起来的一种电擦除型只读存储器。特点是可快速在线修改其存储单元中的数据，改写次数可达1万次，其读写速度很快，存取时间可达70ns，而成本比E2PROM低得多，大有取代E2PROM的趋势。【如果空间没有利用完，可以用不同的单元进行改写，这样可延长整个芯片的寿命】 目前许多公司生产的8051内核的单片机，在芯片内部大多集成了数量不等的Flash ROM。 例如，美国ATMEL公司产品AT89C5x/AT89S5x，片内有不同容量的Flash ROM。在片内的Flash ROM满足要求下，扩展外部程序存储器可省去。 10.5.3 常用的EPROM芯片 使用较多的是并行EPROM，EPROM的典型芯片是27系列产品，例如，2764（8KB）、27128（16KB）、27256（32KB）、27512（64KB）。型号 “27”后面的数字表示芯片的存储容量。如果换算成字节容量，只需将该数字除以8即可。 例如，“27128”中的“27”后的数字 “128”，128/8?=16KB 随着大规模集成电路技术的发展，大容量存储器芯片产量剧增，