西安电子科技大学半导体物理课件——第四章 半导体导电性.pdfVIP

第四章 半导体的导电性 主 讲：施 建 章 E-Mail: jzhshi@mail.xidian.edu.cn 西安电子科技大学技术物理学院 二零零七年九月 第四章 半导体的导电性 主 要 内 容 一、载流子的漂移运动 二、载流子的散射 三、迁移率、电阻率与浓度和温度的关系 四、强电场下的效应 一、载流子的漂移运动 主 要 内 容 1、欧姆定律 2、漂移速度和迁移率 3、半导体的电导率 Ⅰ、欧姆定律的微分形式 在电学中，V-I关系由欧姆定律来描述。 即： I V R l 1 R •ρ σ V l E ⋅ 考虑到： ，而 ， ， S ρ l E⋅ I σSE 则欧姆定律可变为： l ρ ⋅ S ΔI 如果引入电流密度的概念，即 J ΔS （A/m2 ），则有 I J σE S 此即是欧姆定律的微分形式，它把通过导体中某一点的电 流密度和该处的电导率及电场强度直接联系了起来。 Ⅱ、漂移速度 1. 漂移运动 漂移速度 平均漂移速度 电子在电场力作用下所作的定向运动称为漂移运动，定向 运动的速度称之为漂移速度。 ！对大量电子（或空穴）而言，单个载流子的速度没有意 义。只有大量载流子的平均速度才有意义。 通常我们以vdn和vdp分别表示电子和空穴的平均漂移速度。 Ⅱ、漂移速度 2. 平均漂移速度与电流密度的关系 在n型半导体中取一微小的圆柱体形体积元dV，设其电子浓度 为n；其截面积为dS；在电场作用下，电子的平均漂移速度为vdn。 则在dt时间内，流过截面积dS的电荷量dQ为 dQ nqvdndSdt 则由电子的漂移运动而产生的电流密度为 dQ J n − nqvdn dSdt 同理，对于p型半导体而言有： dQ J p pqv dp dSdt Ⅲ、 迁移率 对于n型半导体，在电场强度E不是很强时，电子的漂移运动 所产生的漂移电流遵守欧姆定律，故 J E nqv σ − n dn v E −σ