Eu2%2f3Cu3Ti4O12与Tb2%2f3Cu3Ti4O12介电特性的研究.pdfVIP

Eu。，Cu。Ti。0，。与Tb∽cu3Ti。0，：介电特性的研究 李苗，张道范，王皖燕，陈小芘‘ 中国科学院物理研究所，北京， l 00190 21世纪魁名副其变的信息化世纪。随着1}}界电f信息产业的迅速发展．新型电了元器 什的发展方向早现多元化，而电子7c器件的小型化、¨式化一直址卡要JJ向发胜2一。小硷 是手机，计算机，还址其他的电于产品，集成电路都是其中承要的组成部分。 而作为集成 电路板r的重婴，C件——电容器，它在电路中起到了储能、抗下扰、旁路、耦台等重要的作 用，器什的小型化使得大容量成为电容嚣的发展方向之。夫容罱就要求电介质具有高的介 在室温范围内较好的温度稳定性而料到r大家的普遍关注。然而它的介电损耗却比较大，在 室温1kHz的测试条件下约为O1．不利于实酥的应用。此外，它的介电响应具有料较大的 频率和电压依j塑性．这对于要求对J‘额率和TU眶波动稳定的电jI|}中足不允许的。 数据(见罔1)说明它们与CCTO是间构的，均表现出体心市方的结构，空问群Im．3。介 {!：i仍属于高介电常数材料。值得}k意的是．它们的介电损耗与CCTO丰Ⅱ比下降丁近半。 lⅡ且从图中电IⅡ以明显地看出，CCTO的介电常数其有比较大的额率依赖性，而ECTO畸 TCTO的介电常数枉相同的频率测试的范围内基本不随着频率变化。此外，从圈3中我们 可吼看山在不同A流偏压的条件下．CCTO的介电响应有效太的变化．而ECTO与TCTO 基本币随电压变化。总之，虽然ECTO和TCTO的舟电常数与CCTO杷比有定的F降． fⅡ介电损耗，频率和偏压依赖性皆钉所改善。 m嚣镛 ； ：=§l≈口l 瑚枷咖瑚瑚端唧咖 目3 月1 2 罔2““lTi．OmTk。“，ThOl2CaCa3nOmTkcujTi…O CaCu3Ti4012、E”∞c“，nOl Ⅻ1bcu，Th0”的XRD罔带。ⅫEu弗町140u的舟电响鹰触和EL咖cuJL0的介电常数布 频牢的变化*系． IkHz频率T％偏K的蹙化盖东． 联系作女。电*{+86-L0c-mMl：Ch¨X29@aphymhy∞cn何Lch∞) 134