PIN型非晶硅a-Si%3aH太阳电池短波光谱响应的研究.pdfVIP

^^gA616UQ,[p(uuJ) 中国可再生能源学会2011 年学术年会论文（光伏） PIN型非晶硅a-Si:H太阳电池短波光谱响应的研究 王 利 张晓丹 赵 颖 刘伯飞 杨素素 魏长春 孙 建 张德坤 耿新华 （南开大学光电子薄膜器件与技术研究所；南开大学光电子薄膜与技术天津市重点实验室； 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室，天津 300071） wenhairen@163.com 摘 要 本文提出了一种测试短波光子在光损耗层（P层，PI-buffer层）的吸收损失的 方法，从而弥补了量子效率测试无法将吸收损失和输运损失分开的不足。对不同P层厚度和 PI-buffer厚度对短波光子的吸收实验结果显示，P层厚度在10nm左右时对短波光子吸收较 明显，而PI-buffer层则不仅引起短波光子吸收损失严重，而且影响的波段的范围更广 关键词 吸收损失；挡光片；P层，PI-buffer层吸收； 1 引言 PI-buffer层自身的光吸收）和输出损失（光 宽带隙非晶硅a-Si:H通常被用于叠层电 生载流子在PI界面和P层因材料缺陷引起 [1-2] 池的顶电池 ，主要的光谱响应波段为 的复合，或电场畸变造成的收集不足），而 300nm-600nm，而500nm-600nm区域为顶电 QE曲线难以将两者区分开来。 池和中间电池的竞争区域，为了获得较高的 匹配电流，应避免顶电池过多的挤占中间电 池的光谱响应波段。因此，用于顶电池的非 晶硅电池如何充分利用短波段（300nm - 500nm）的光谱便显得十分重要。对于 PIN 型非晶硅电池，光线在到达有源层被有效吸 收之前会历经玻璃、TCO、P层、PI-buffer 层这些光损耗层，这些光损耗层对光线的吸 [3] 图1 典型的TCO透过及PIN型非晶硅量子效率曲线 收难以对电池的输出有所贡献 。因此，研 究光线在这些层因吸收而造成的光损失对 本文采用了一种新型的表征光损耗层的 非晶硅电池器件结构的优化意义重大。现阶 吸收损失手段（具体介绍见测试部分），定 段 ， 通 常 采 用 量 子 效 率 （ quantum 量研究了不同P层，PI-buffer层厚度在短 efficiency，简记为QE）来表征太阳电池对 波段的光吸收损失，另外对i层厚度对短波 太阳光谱的利用。图1绘制了glass/TCO的 光谱的响应做了部分研究。 积分透过曲线和非晶硅太阳电池的QE曲线， 有图可以观察到在短波区，相对TCO的光谱 2 实验过程及测试手段 透过率，QE测试显示短波段光子的损失较为 严重。这些损失可以分为吸收损失（P层， 2.1 实验过程 P层材料采用以SiH、H、TMB、CH 为源 得到。 4 2 4 气体制备而成的P:a-SiC:H。通过控制沉积 时间来获得不同厚度的P层。PI-buffer层 则是在P层制备结束后控制TMB、CH 的关闭4 ^^g^616ual|J(u山) 连续沉积而成，通过控制TMB和CH 先后关4 闭的时间间隔获得不同厚度的 PI-buffer 层。 200 000 100 800 寸00寸20 200 e20 120900820 a20 2.2 测试手段 我们采用一种新型的测试光损耗层对光 子吸收损失的方法，示意图见图2。将不同 厚度的P层和P/PI-buffer层用作已选取的 图3 以P层和PI-buffer