SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究.pdf

第47卷第1期 原子能科学技术 V01．47，No ．1 20 13年1月 At omi c Ener gy Sc i en ce and Technol ogy J an ．20 13 SRAM型 FP A瞬 时 电 离 辐 射 功 能 错 误 实 验 研 究 齐 超，林东生，陈 伟 ，杨善潮，王桂珍，龚建成，马 强 ( 西北核技术研究所 ，陕西西安710024) 摘要：定性分析 了SRAM型FP A瞬时 电离辐射功能错误，认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。 设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链 ，在 “强光一号”加速器 上开展了FP A瞬时电离辐射效应实验研究，对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况，结果 未发现敏感配置位数对功能错误 阈值有任何影响，验证 了定性分析结论。 关键词：瞬时 电离辐射；功能错误；敏感配置位 中图分类号：TN43 1；TN792 文献标志码：A 文章编号：1000—693 1(20 13) 0 1_0157—04 doi ：10．7 53 8 ／y zk ．2 013．4 7．0 1．0 157 Exper i ment a l I nves t i gat i ons on Tr ans i ent I oni z i ng Radi at i on I nduced Funct i on Er r or s of SRAMBas ed FP A QI Ch ao，LI N Dong—she ng，CHEN Wei ，YAN Sh an—cha o，WAN ui —zhen ， ON J i an—cheng ，MA Qi ang ( Nor t h west I n st i t u t e of Nucl ear Technol og y ，xi ’an 7100 24 ，Chi na) Abs t r act ：On t he basi s of qual i t at i v e anal ysi s of t he t r a nsi ent i oni zi ng r ad i at i on f unc t i on er r or s f or SRAMbas ed FP A，t he f un ct i on er r or t hr es hol d was cons i de r e d t o be i ndependent of t he qu ant i t y of s ens i t i ve conf i gur a t i on bi t s ．Di f f e r ent s hi f t r egi st er s ma de up of l ook up t abl es and Df l i p—f l op s wi t h qui t e di f f er en t qu ant i t y of sen si t i ve conf i gur a— t i on bi t s wer e des i gne d．Exper i ment al i nv est i g at i ons wer e per f or med us i n g pul se gamma r a y gener at e d by “Qi ang uang—I ”accel er at or ．Compar i ng wi t h t he f unct i on st a t us of t hose ci r cui t s under