第7章 MEMS工艺(体硅微加工技术)课件.pptVIP

腐蚀设备 硅和硅氧化物典型的腐蚀速率 材料 腐蚀剂 腐蚀速率 硅在100晶向 KOH 0.25-1.4?m/min 硅在100晶向 EDP 0.75?m/min 二氧化硅 KOH 40-80nm/h 二氧化硅 EDP 12nm/h 氮化硅 KOH 5nm/h 氮化硅 EDP 6nm/h 影响腐蚀质量因素 晶格方向 腐蚀溶液的选择 腐蚀溶液的浓度 腐蚀时间 操作温度温度 搅拌方式 Etching Bulk Silicon 车轮法来测量平面上不同晶向的腐蚀速率（有局限性） 更准确的反映腐蚀各向异性的是球形法（正相或负相） ?111?面凹角停止 ?100?方向硅片的腐蚀特点 (1) 溶液及配比 影响各向异性腐蚀的主要因素 (2) 温度 各向同性腐蚀 硅的各向同性腐蚀在半导体工艺中以及在微机械加工技术中有着极为广泛的应用。常用的腐蚀液为HF-HNO3加水或者乙酸系统。腐蚀机理为： 首先是硝酸同硅发生化学反应生成SiO 2，然后有HF将SiO 2溶解。 优点： 无尖角， 较低应力 刻蚀速度快 可用光刻胶掩膜 目前主要的各向同性腐蚀液为：NHA和HNW H：氢氟酸(HF) N：硝酸(HNO3) A：乙酸(CH3COOH) W: Water 三、自停止腐蚀技术 机理： EPW和KOH对硅的腐蚀在掺杂浓度小于1?1019cm-3时基本为常数，超过该浓度时，腐蚀速率与掺杂