溶液环境对水热法制备的纳米ZnO的结构与性质的影响.pdfVIP

溶液环境对水热法制备的纳米ZnO的结构与性质的影响.pdf

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摘 要 氧化锌(ZnO)是一种重要的 II-VI 族直接宽带隙化合物半导体材料,室温下禁带 宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,广泛应用于短波长发光二极管、荧光材料、 激光器、光敏器件、紫外探测器等光电子纳米器件。同时,ZnO 对生产设备要求较 低,原料丰富,价格低廉,生产成本较低,其本身热稳定性能和化学稳定性能都比 较好,无毒无害,是一种环境友好型半导体材料,己成为继GaN 之后国际上新的半 导体纳米材料的研究热点。 本论文主要研究以下两个部分的内容: 1、以醋酸锌和氢氧化钾为反应物,采用水热法制备纳米ZnO 粉体,讨论了反应 ― 2+ 溶液中的乙醇含量、不同的OH /Zn 的摩尔浓度比等反应条件对纳米ZnO 晶体的形 貌和光学性能的影响,通过XRD 、SEM 和PL 对ZnO 样品的结构、形貌和光学性质 ― 2+ 进行了测试分析,并探讨了OH /Zn 的摩尔浓度比、乙醇和表面活性剂CTAB 对纳 米ZnO 晶体的生长及性质的影响机制。 2 、利用二次阳极氧化制备的多孔氧化铝膜板模板为衬底,采用脉冲激光沉积的 方法在模板上生长一层多孔氧化锌薄膜,制备出了ZnO/PAA 复合体系,通过SEM 和PL 等表征了ZnO/PAA 复合体系的形貌和光致发光特性。 关键词:纳米ZnO ,水热法,光致发光,脉冲激光沉积,多孔氧化铝 II Abstract Zinc oxide (ZnO), an important direct wide band gap of II-VI group compound semiconductor material with a direct band gap of 3.37 eV and large exciton binding energy of 60 meV, is widely used in the short-wavelength light-emitting diodes, fluorescent materials, lasers, photosensitive devices, UV detectors and other optoelectronic nano-devices. Meanwhile, ZnO, requiring a lower level of production equipment, abundant raw materials, low prices, lower production costs, its thermal stability and chemical stability are good, nontoxic, is an environmentally friendly type semiconductor materials, has become the research focus of the new semiconductor nanomaterials after the GaN semiconductor nanomaterials. In this paper, the work includes the following two aspects : 1. Zinc acetate and potassium hydroxide are used as reaetants, hydrothermal method is used to synthesize ZnO

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