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维普资讯 第 26卷 第 8期 半 导 体 学 报 VoI．26 NO．8 2005年 8月 CHINESE JOURNAL OFSEMICONDUCTORS Aug．，2005 沉积温度对 a—SiN ：H薄膜 PL峰的影响 刘渝珍 陈大鹏 王小波 董立军 (1中国科学院研究生院，北京 100049) (2中国科学院微电子研究所 ，北京 100029) 摘要 ：在 3．75eV 的激光激发下，利用 LPCVD在 800 950C不 同温度下沉积富硅 的SiN 薄膜 中，在室温下观测 到 1～5个高强度可见荧光 的发射 ．通过 TEM，IR，XPS等的分析研究表明，文 中所获样 品为纳米硅镶嵌结构的a— SiN ：H 薄膜 ．PL峰数 目及其各峰的强弱与生成薄膜过程 中反应气体 SillzClz的分解速率 、沉积温度 、SiN 生长 过程有关 ，还与薄膜 中纳米硅 的团簇密度、尺寸大小 以及各种不 同类型的缺陷态种类和密度有十分重要 的关