单元2 功率二极管.ppt

单元２ 功率二极管 2.1 常见的半导体分立器件 2.2 功率二极管 2.3 功率二极管的散热措施 二、功率二极管 1、功率二极管的结构 2、功率二极管的特性 3、性能参数 4、特种二极管 1、功率二极管的结构 2 、 功率二极管的特性 (1) 伏安特性 (2) 开关特性 2.3 功率二极管的散热措施 总热阻Rθj-a分成三部分： a：内热阻RθJ-C ：从管芯到管壳的热阻 b：外热阻 RθC-S ：从管壳到散热器的接触热阻 RθS-a从散热器到环境介质的散热器热阻 p-i-n Diode 零偏压下，理想的pin 二极管，i层没有杂质，相当于耗尽层，n层和i层间存在电子浓度梯度，在其界面形成空间电荷区，n侧为正，且很薄。同样，p区靠近i层一边存在负的空间电荷层，也很薄。所以电场均匀分布在高阻i区。 E 理想的pin二极管相当于一个平板电容器 pi=ni p n n p p i n n、p x 正偏pin二极管载流子浓度分布 正向偏压下，P+、N+区分别有大量的空穴、电子注入到i区，在一定的浓度梯度下，向i区中心扩散，同时不断复合。当单位时间注入的电子空穴数和复合数相等时，电子和空穴达到稳态分布。由于i区电中性要求，电子和空穴分布相同。 注入的电子、空穴产生电导调制效应，使i区电导增加，在i区厚度不大于少子扩散长度时，呈现低阻抗，不同的正偏压具有不同的电导，这时二极管处在导通状态。等效电路如右图所示 图中Rf为正向结电阻、CJ为结电容、RS为P+、N+区的体电阻和接触电阻之和 反偏压下，由于i区电阻率很高，反向偏压主要降落在i区，p区、n区耗尽层宽度变大， i区耗尽层宽度随电压增加更快，当电压增加到一定值时，整个i区都成为耗尽层， 即i区穿通，变为高阻层，使pin 二极管处于关断。 上图为尚有部分未耗尽的pin二极管的等效电路。 在低频时，pin二极管和pn二极管一样可作整流元件使用，在微波频率下，常作开关管使用。原理是当信号频率高到一定程度时， i区中载流子的注入与扫出跟不上信号的变化。从而使pin管失去整流作用，但可通过外加偏压加以控制，使之在负偏压下，即使微波信号是下半周，也能提供高阻抗，保持截止状态，而在正偏压下，即使微波信号是下半周，也能提供低阻抗，保持导通状态，从而对微波信号起到开关状态。 （2）稳压二极管 　　一般为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管，作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。 ▲硬击穿（图中曲线甲）： BVCB0：集电结的雪崩击穿电压VB ▲软击穿（图中曲线乙）： BVCB0比VB低 使二极管击穿特性“软”化的直接原因主要是结平面或其周边中存在击穿电压较低的弱点，这些局域性的弱点通过前后不齐的提前击穿，使二极管整体击穿前的反向电流增大，严重时使二极管的击穿电压难以确定，弱点问题主要是材料和制造工艺的均匀性问题。 稳定电压额定值为15V的一个稳定二极管的电流—电压特性（图a ）及其应用示意图 稳压二极管的应用 在生产厂家规定的允许范围内，工作电流要尽可能选高一些 （3）肖特基势垒二极管（SBD） 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）的简称。是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。 肖特基二极管特点 优点： 1、正向导通压降低 2、反向漏电流受温度变化小 3、动态特性好，工作频率高 缺点： 1、反向漏电流大 2、耐压低 目前主要使用的半导体材料有硅和砷化镓二种。GaAs介电常数小、迁移率大，相对硅、锗二极管，其结电容CJ和串联体电阻小、截止频率高、噪声小，缺点是GaAs和金属接触的势垒高度，一般比硅大，因而导通电压比较高。 由于电子的迁移率比空穴大，为获得良好的频率特性，故一般选择n型的半导体材料作基片。 材料、结构和工艺 为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。 金属材料应选用与半导体接触形成的势垒高度较低的金属。 对于n-Si,常用的金属有Ni、Mo、Ti、Pt 对于n-GaAs，采