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纳米Al粉掺杂对MgB2超导块材超导电性和显微结构影响 Effects of Nano-Al Doping on Superconductivity and Microstructure of MgB2 Bulk Superconductors.pdf

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第22卷第1期 无机材料学报 V01.22.No.1 2007年1月 Journalof Materials Jan.,2007 Inorganic 文章编号:1000—324X(2007)01—0133—05 纳米Al粉掺杂对MgB2超导块材超导电性和显微结构影响 郭方方1,徐政1,许红亮1,冯勇2 (1.同济大学材料科学与工程学院,上海200092;2.西北有色金属研究院,西安710016) 摘要:以纳米Al粉为掺杂物质,借助超声分散,较好地解决了纳米Al粉的团聚及其与B粉的均匀混合问题, 低,其中c的降低幅度较大.随着Al掺量的增加,MgB2的临界温度疋逐渐降低,由未掺杂时的38.5K降低至 掺杂8mol%A1时的35.5K.超导电性研究结果表明,纳米Al粉掺杂,在低温、高场、低掺杂量的条件下可以改善 2m01%的纳米Al粉掺杂效果最好. MgB2的超导性能,掺杂量过大反而抑制MgB2的超导性能, 关键词:纳米A1粉掺杂;MgB2超导块材;超导电性;显微结构 中图分类号:THl42,TN305文献标识码:A EffectsofNano-A1 on andMicrostructure DopingSuperconductiVity of Bulk MgB2 Superconductors GUO Fang—Fan91,XUZhen91,XUHong—Lian91,FENGYon92 ofMaterialScienceand Institute (1.School Engineering,TongjiUniversity,Shanghai200092,China;2.Northwest forNonferrousMetal Research,Xi’an710016,China) A1 ultrasonicvibrationstoavoid and Abstract:Nano—sizewere powdersdispersedby reunitingdoped tothe bulkmaterial effectsandmechanismof werestudied.The MgB2 uniformly.The doping phase andmicrostructureshowthatAlatomscan intothelatticeof andsubstitute analysis analysis dope MgB2 thesiteof atoms.Withtheincreaseof a andcof decrease Mg addition,thecrystalparameters MgB2 thevalueofc thecritical of too.The and Tc gradually depressesmore,and temperatureMgB2depresses value 35.5Kforthe

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