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V01．28 第28卷第3期 物理学进展 No．3 IN 2008年9月 PROGRESSPHYSICS Sep．2008 文章编号：lOOO—0542(2008)03—280—34 X射线衍射研究纳米材料微结构的一些进展 杨传铮，张建 (中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海200050) 摘要： 本文在简单评叙过去常用于金属材料中晶粒(嵌镶块)大小和微观应变的x射线衍射线形分析方法(分离 微晶～微应变二重宽化效应的Fourier分析、方差分析和近似函数三种方法)之后，介绍了作者及合作者近年来发 展和建立的分离微晶一微应变、微晶一层错、微应变一层错二重宽化效应和分离微晶一微应力层错三重宽化效 应的一般理论、最小二乘方法和计算程序系列。然后把这些方法用于评价各种典型纳米材料微结构的研究。它们 测定。 实际应用发现，对不同的纳米材料合理应用分离X射线衍射多重宽化效应的一般理论和方法显得十分重要。 实际应用还发现，所提出的分离多重宽化效应的方法，能用于评价和研究纳米材料及其在使用过程微结构的 变化，从而把材料性能与微结构参数联系起来，建立性能与结构之间的关系，并已获得不少有益结果。 关键词：纳米材料；微结构；微晶形状和大小；微应变(3J)；堆垛层错；XRD；最小二乘方法；计算程序 中图分类号：TGIl5．23文献标识码：A 0 引言 在多晶材料X射线衍射分析中，如果样品的晶粒很小，存在微(残余)应力或堆垛层错时，都会引起衍射 线的宽化。如果三种效应分别单独存在，分别求解微晶大小、残余应变(应力)是相当方便的；当微晶和微应 测量误差和宽化的各向异性，使得有时难以手工作直线图，即使用Origin程序作图也会产生较大的误差。 为此本文综述作者及合作者近年来提出和建立分离微晶一微应力、微晶一堆垛层错、微应力一堆垛层错二重 宽化效应和分离微晶一微应力一层错三重宽化效应的最小二乘方方法，同时编制了有关的求解程序系列；并 Al合金等的微结构研究，还用于六方石墨堆垛无序的测定。 1历史的回顾E1,2,3] 1．1真实线形的获得 由于求解微结构参数是从待测样品的真实线形分析出发，因此从待测样品的实测线形中求解待测样品 的真实线形是理论和实验分析的第一步。 收稿日期：2008-04—15 基金项目：国家自然科学基金资助项目(资助 上海市科委科研计划项目基金资助(No．06JCl4028) 万方数据 第3期 杨传铮，张建：X射线衍射研究纳米材料微结构的一些进展 281 待测样品实测线形^(z)、标样线形g(z)和待测样的真实线形／‘(z)三者之间有卷积关系 r4-o。 矗(z)一Ig(y)f(x—y)dy (1) J∞ 一+专，利用Fourier变换关系，有 f^(z)一∑H(t)e-2Ⅱ-ixt／e 2 jg(z)一∑G(t)e-2和^ ‘ }厂(z)一∑F(t)e-2砌／c fH(￡)一∑^(t)e-2血7e z