表面钝化硅纳米线能带结构.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２７ １１ 犞狅犾．２７ 犖狅．１１ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００６ １１ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犖狅狏．２００６ 表面钝化硅纳米线的能带结构  尤思宇 王 燕 　 　 （清华大学微电子学研究所，北京 １０００８４） 　 摘要：采用第一性原理的方法计算了不同尺寸的（ ）硅纳米线在 饱和及 饱和下的电子结构 计算结果表明， １００ 犎 犉 ． 饱和与 饱和的（ ）硅纳米线均为直接禁带半导体，但 饱和硅纳米线的禁带宽度和价带有效质量都远小于 犉 犎 １００ 犉 饱和硅纳米线，这一现象可用价带顶的 杂化效应来解释 计算结果还表明， 或 饱和的（ ）硅纳米线的 犎 狀 ． 犎 犉 １００ σ 极限———硅单原子链则表现为间接带隙半导体，文中对这一现象进行了分析和讨论． 关键词：硅纳米线；表面钝化；氟化；能带； 杂化 狀 σ ： ； ； 犘犃犆犆 ７１２５犜 ７３２０犇 ７３６０犘 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犗４７１５ 犃 ０２５３４１７７２００６１１１９２７０７ 　　　 　　　 中弱，但是禁带宽度增加和有效质量增大对提高器 前言 件的工作速度是极为不利的 本文重点考虑纳米效 １ ． 　 应的另一个方面———表面效应，以氢和氟饱和的硅 一维半导体材料由于具有量子限制效应等与体 纳米线为研究对象，采用第一原理的计算方法，考虑 材料不同的性质，引起了人们极大的研究兴趣 如果 不同表面元素对硅纳米线禁带宽度、带边有效质量 ． 能用硅纳米线制备出实用的纳米电子器件，将大大 和电子结构的影响，并对计算结果进行了详细的理 提高 的集成度，使硅技术的应用从微电子学领 论分析． 犐犆 域扩展到纳电子学领域，对未来电子器件及整个电 ［］ ２　计算工