Sol-Gel提拉法制备ZAO薄膜及其光电性能.pdfVIP

第30卷 第 1期 大 连 交 通 大 学 学 报 Vo1．3O No．1 2009年2月 JOURNAL OF DAHAN JIAOTONG UNIVERSITY Feb．20o9 文章编号：1673—9590(2009)01—0025-05 So1．Gel提拉法制备 ZAO薄膜及其光 电性能 李海峰 ，沈长斌，薛钰芝 (大连交通大学 材料科学与工程学院，辽宁 大连 116028) 摘 要：采用溶胶 一凝胶 (Sol—Ge1)浸渍提拉法(基于组装的小型提拉装置)在普通玻璃片上制备出ZnO： AI(ZAO)薄膜，利用扫描电子显微镜、紫外一可见分光光度计、数字式四探针测试仪等检测手段分别对 其进行了分析比较．结果表明：Al“浓度为 1．0％的ZAO薄膜表面最为致密均匀；随着退火温度的提高， 薄膜的晶体平均粒径明显增大，电阻率逐渐减小；不同掺Al量的ZAO薄膜在可见光区的平均透光率均 在 70％以上 ，当A1“浓度为 1．5％时，550~C退火2h，电阻率最小，为5．9×10I2n ·cm． 关键词 ：Sol-Gel；提拉法；ZAO薄膜 ；电阻率；透光率 中图分类号：TN304．21；0484．1 文献标识码：A 0 引言 器、热反射镜等领域得到广泛应用，相对于 SnO，、 ITO膜，其最吸引人的地方是其原料非常便宜， ZnO是一种具有压 电和光电特性的n型半导 而且其原料具有储量丰富、易于制造、无毒 、热 体材料，优质的ZnO薄膜具有 c轴择优取向生 稳定性好等优点．铝掺杂的ZnO透明导电薄膜 长的众多晶粒，其结构为六方晶体 (纤锌矿)结 (A1：ZnO，简称ZAO)在可见光区内具有高透射 构，常温下禁带宽度为3．3eV，是典型的直接带 率和低电阻率 ，其光学带隙可由铝掺杂的比例进 隙宽禁带半导体 ，密度为5．67g／cm。，晶格常数 行控制 J，可 以方便地调控其光电性能，因此 a=0．3250nm，c=0．5206nm¨；在其晶体结构 ZAO薄膜在太阳能电池、液晶显示器、防静电涂 中，每个 zn原子与四个 0原子按四面体排布(如 层等领域都具有广阔的应用前景． 图1所示)[23． 目前，几乎所有的制膜技术均可用于ZAO薄 膜的生长，常用方法有 ：分子束外延 (Molecular BeamEpitaxy)、化学气相沉积 (CVD)、喷雾热解 (Spraypyrolysis)、脉冲激光沉积 (PulsedLaser Deposition)、溶胶 一凝胶 (Sol—Ge1)和磁控溅射 (MagnetronSputtring) {等，相对于其它方法，溶 胶一凝胶法具有无需真空系统和昂贵的设备，且