InAlN薄膜MOCVD外延生长研究.pdfVIP

制造工艺技术 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 Manufacturing Technology DOI :10. 3969 /j. issn. 1003 － 353x. 20 11. 08. 008 InAlN 薄膜MOCVD 外延生长研究 ， ， ， ， ， 贠利君 魏同波 刘乃鑫 闫建昌 王军喜 李晋闽 ( ， 100083) 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 北京 : InAlN ， GaN 摘要 为了研究不同压力和不同模板对 薄膜外延生长的影响 分别选取以 为模 板时生长压力为4. 00 、6. 67 和13. 33 kPa ，压力为4. 00 kPa 时模板为GaN 和AlN 这两组条件进行 。 ， ， In ， 实验比较 研究发现 随着生长压力的增加 样品中 含量降低 样品的粗糙度则随压力的增 ; 4. 00 kPa ， (FWHM) 86. 97″ AlN 224. 1″ 加而增大 压力为 时 分别以摇摆曲线半高宽 为 的 和 的 GaN ， AlN InAlN (002) (102 ) FWHM 为模板 发现 模板上生长的 样品 和 峰的 值及表面粗糙度 GaN InAlN 。 : 比上述 为模板生长的 样品都要小很多 综合以上结果可初步得知 降低压力可以优 InAlN ， In ; AlN 化 薄膜的表面形貌 增加 组分含量 采用高质量的 作模板能生长出晶体质量和表 面形貌都比较好的InAlN 薄膜。 : ; ;AlInN ; ; 关键词 压力 模板 薄膜 粗糙度 晶体质量 中图分类号:TN304 文献标识码:A 文章编号:1003 － 353X (2011)08 －0609 －05 Research on InAlN Film Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition YunLijun ，Wei Tongbo ，Liu Naixin ，Yan Jianchang ，Wang Junxi ，Li Jinmin (R＆D Center f or Semiconductor Lighting ，Institute of Semiconductor ，Chinese Academy of Sciences ，Beij ing 100083，China)