37粒子输运问题的蒙特卡洛模拟.pdfVIP

3. 7 粒子输运问题的蒙特卡洛模拟 一、直接模拟法 直接模拟法是基于粒子输运过程的随机统计特性的考虑，认 为物理上的可观测量就是大量粒子的行为共同贡献的统计结果。 因此，该方法就是考虑一个一个粒子的传输，模拟它们在物质中 随机运动的历史，记录其在运动中对感兴趣的物理模拟量的贡 献。在对单个粒子运动历史进行大量的重复模拟之后，就可以对 物理模拟量进行统计平均，得到所需要的物理结果。 中子与物质作用后，一部分会被吸收，另一部分经过多次散 射后会穿透物质层透射出去。中子与物质层作用后可能会产生次 级粒子，我们不考虑这些次级粒子的迁移。如果中子和物质材料 中第m 种原子核作用的全截面为 m ( ) m ( ) m ( ) σ E σ E +σ E t s a m ( ) m ( ) σ E 和σ E 分别表示中子被一个原子核m 的散射和吸收截面。 s a 如果单位体积第m 种原子核的数量记为ρ ，则中子作用在单位体 m 积内第m 种元素上的总截面为 m ( ) m ( ) Σ E ρ σ E . t m t 假如材料中有多种元素，该中子与材料作用的总截面为: ( ) m ( ) Σ E ∑Σ E . t t m ( ) 假定中子与某一原子核散射后的角分布表示为dσ E / dΩ，当散射 角分布对方位角ϕ 是各向同性时，方位角ϕ 可以被积掉，得到微 ( ) ( ) ( ) 分散射截面 dσ E / d cosθ 。无论微分截面dσ E / dΩ 或者 ( ) ( ) dσ E / d cosθ ，我们都可以得到相应的理论公式。 设在O 点有一个能量为E0 的中子垂直入射到物质层中。我们 ( ) 记录这时该中子的状态位形为s x 0, E , cosθ 1 ，经过第一次 0 0 0 0 ( ) 碰撞后散射到状态位形s x ,E , cosθ ，再经过第二次碰撞后散射 1 1 1 1 ( ) 到状态位形s x ,E , cosθ ，…，如此我们依次记下该中子在物 2 2 2 2 质层中运动历史上的位形点的轨迹： s →s →s ⋅⋅⋅ s . → 0 1 2 M 直到在sM 状态，该中子被物质层吸收，透射或背射出来，或者在 sM 处该中子的能量EM 低于某一阈值，则程序就停止跟