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第10 卷 第5 期 电路与系统学报 Vol. 10 No.5 2005 年 10 月 JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMS October ，2005 文章编号：1007-0249 (200 5) 05-0 125-04 一种适用于宽电源电压幅度的高精度双极带隙基准电路* 王静秋， 来新泉， 陈富吉， 楼顺天， 令文生 （西安电子科技大学CAD 研究所，陕西 西安710071 ） -6 - 1 摘要：设计并实现了一种bipolar 工艺下的高精度带隙基准电路，通过Hspice 验证，具有2.28 10 K 的温度系数， 在 V=10V 的宽电源电压幅度范围作用下，具有1.2mV/V 电源抑制特性及直流PSRR=79dB 的高电源抑制比。 关键词：带隙基准源；温度系数；电源抑制比 中图分类号：TN431.1 文献标识码：A 1 引言 电压基准广泛地应用在模拟电路中，在A/D 、D/A 的集成电路设计中，也需要基准来确定其输入 或输出的全程范围。随着电路系统的不断复杂化，对基准源的要求也越来越高。尽管 MOS 器件的许 多参数已被考虑用于基准产生，但双极电路，因其晶体管的特征参数具有最好的重复性，并能提供正 温度系数和负温度系数的、严格定义的量，形成了此类电路的核心。由于基准源的精度与温度有关， 提高精度必须降低温度系数。因此本文采用温度补偿及负反馈的方法，大大的降低了基准电压的温度 系数，并且在宽电源电压幅度范围作用下，使其仍具有很好的电源抑制特性和很高的电源抑制比PSRR （Power-Supply Rejection Ratio）。 2 带隙基准源原理 基准是直流量，它与电源的关系很小，与温度和工艺有一 定的关系。由于基准源的精度与温度有关，提高精度必须降低 温度系数。采用温度补偿的方法，即在温度区域内找到一点， 使得基准源的输出在该点的温度导数为零，只要此点选取合适， [1] 图1 带隙基准源的原理示意图 就能获得较小的温度系数 。 [2] 图1 为带隙基准源的原理示意图 。 利用热电压 V 的正温度系数与双极型晶体管B 、E 结电压 V 的负温度系数相互补偿，以减小温 T BE 度漂移。其中 V 的温度系数在室温时大约为-2mV/ C 。而热电压V =KT/q，其温度系数在室温时大约 BE T 为+0.086mV/C 。将电压V 乘以常数K 以后与电压V 相加，便可得输出电压 V 为： T BE REF V V KV （1） REF BE T 将式（1）两端同时对温度T 求微分，并将 V 和 V 的温度系数值代入， BE T 令等式值为零，就可求得K 的值，它使得带隙基准电压的温度系数值在理论上 为零。由于 V 与电源值无关，而 V 受电源变化的影响极小，故 V 受电源 T B