低介电常数薄膜的性质和键结构分析.pdfVIP

下载本文档

2
0
约 5页
2017-09-02 发布于重庆
举报
版权申诉

低介电常数薄膜的性质和键结构分析.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第卷第期年月物理学报 $’ %%$ ，，， -E? 3$’ RE 3 4KSLGLT %%$ （） #%%%,7(%P%%$P$’ % P%:(,%$ *5 N2Q/6* /6R6* !%%$ *U0F 3 NUTV 3 /ED 3 !#$% 低介电常数薄膜的性质和键结构分析! ! 王婷婷叶超宁兆元程珊华（苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室，苏州 #$%% ）（年月日收到；年月日收到修改稿） %%’ $ ( %%’ 以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（）方法制备了具有低介电 )*+,*-. 常数，且电绝缘性能和热稳定性优良的薄膜通过对富氏变换红外光谱（）的分析，比较了反应源和薄膜 /0*12 3 456+ 键结构的差异，证实薄膜中一方面保持了源中由 — — 键构成的环结构，另一方面形成了由大键角 — — /0 1 /0 /0 1 /0 键构成的鼠笼式结构，在沉积过程中失去的主要是侧链的— 基团薄膜经过热处理后，其介电常数由 *2 3 ’%%8 7 7 9:$ 降低到 9:$，对其456+ 谱的分析指出，薄膜中鼠笼式结构比例的增加可能是薄膜介电常数降低的原因3 关键词：低介电常数，薄膜，化学键结构 /0*12 ：，，， ’## ;7% ;;$$ ;:7% :##$ 用复相材料引入 # I # 的空气隙来降低材料的介电 #9 引言常数却是可能的途径，因为材料的极化不仅与介质的极化率有关，还与其体积密度有关3 因此，在材料预计在未来的年内，微电子器件将继续按照 #$ 中引入空气隙形成由介质和空气隙组成的多孔复相莫尔定律发展，年后将生产线宽为以下 %%; $F= 材料，成为获得超低材料的重要途径 # 3