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2017-09-02 发布于重庆
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新结构研究的新方向.pdf

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!!!!!!! 知识和进展 ! !!!!!! !# 新结构———!# 研究的新方向# ! 谢欣云林青门传玲安正华张苗林成鲁（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 ###$# ）摘要（：绝缘体上单晶硅薄膜）技术已取得了突破性的进展，但一般结构是以作 %’ ()*)+,-.,-.)-(/*01,2 %’ %) 为绝缘埋层，以硅作为顶层的半导体材料，这样导致了一些不利的影响，限制了其应用范围3 为解决这些问题和满足一些特殊器件电路的要求，探索研究新的结构成为研究领域新的热点如，，， 4 %’ %’ 3 %’5 67%’ 68%)’ %) ,- 9*:，，，等文章将结合作者的部分工作，报道新结构研究的新动向及其应用 %);’ 68%)’ %%’ 3 %’ 3 关键词新结构，，，， %’ %’5 67%’ 68%)’ %) ,- 9*: $% !# !’()*’)(%———(%*%$’ +(,(%!! $ !# (%!%-(*. ’= )-./- ?’: @)-A 5=: ;B/0-.?)-A 9: CB8-A.D/0 CD9:6 5)0, ?’: ;B8-A.?/ （，， !#$ %$ ’#()*#)* )+ ,-./0).#1 2#$*0#13 + )* 4.+ )*5#0/3 !6#.76#0 4.30-$ )+ 20/*)33$5 #.8 4.+ )*5#0). 9$/6.)1)7 ，，） :60.$3$ ;/#8$5 )+ !/0$./$3 !6#.76#0 ###$# :60.# （）， -/012341 %)A-)E)+0-1 F2,A28(( B0( G88- 0+B)8H8I )- ()*)+,-.,-.)-(/*01,2 %’ 18+B-,*,AJ G/1 (10-I02I %’ (12/+. 1/28( 8KF*,J %) 0( )-(/*01,2 0-I ()*)+,- 0( 1B8 (8K)+,-I/+1,2 K0182)0* 3 LB)( 28(/*1( )- (,K8 I)(0IH0-10A8( 0-I *)K)1( ， 1B8 0280( ,E 0FF*)+01),- 3 L, (,*H8 1B8(8 M/8(1),-( 0-I K881 1B8 I8K0-I( ,E (F8+)