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2011年届北京市各区高三物理期末考试分类汇编--磁场.doc
2011届北京市各区高三物理期末考试分类汇编--磁场
(房山)12.如图所示,在匀强磁场B的区域内有一光滑倾斜金属导轨,倾角为θ,导轨间距为L,在其上垂直导轨放置一根质量为m的导线,接以如图所示的电源,电流强度为I,通电导线恰好静止,则匀强磁场的磁感强度必须满足一定条件,下述所给条件正确的是.
A.B=mgsinθ/IL,方向垂直斜面向上
B.B=mgcosθ/IL,方向垂直斜面向下
C.B=mg/IL,方向沿斜面水平向左
D.B=mgtgθ/IL,方向竖直向上
ACD [来源:学科网ZXXK]
①E和B都沿水平方向,并与电子运动方向相同
②.E和B都沿水平方向,并与电子运动方向相反
③.E竖直向上,B垂直纸面向外
④.E竖直向上,B垂直纸面向里
A、①④ B、②④ C、①②③ D、①②④
C
(房山)20、如图所示的区域中,左边为垂直纸面向里的匀强磁场,磁感应强度为 B ,右边是一个电场强度大小未知的匀强电场,其方向平行于OC且垂直于磁场方向.一个质量为m 、电荷量为-q 的带电粒子从P孔以初速度V0沿垂直于磁场方向进人匀强磁场中,初速度方向与边界线的夹角θ=600 ,粒子恰好从C孔垂直于OC射入匀强电场,最后打在Q点,已知OQ= 2 OC ,
不计粒子的重力,求:
( l )粒子从P运动到Q所用的时间 t 。
( 2 )电场强度 E 的大小
( 3 )粒子到达Q点时的动能EkQ
(房山)20、
(1)画出粒子运动的轨迹如图示的三分之一圆弧
(O1为粒子在磁场中圆周运动的圆心):∠PO1 C=120°
设粒子在磁场中圆周运动的半径为r,
……………………2分
r+rcos 60°= OC=x O C=x=3r/2 …………………………2分
粒子在磁场中圆周运动的时间……………………1分
粒子在电场中类平抛运动 O Q=2x=3r……………………1分
…………………………………………1分
粒子从P运动到Q所用的时间 …………………………1分[来源:学科网]
(2) 粒子在电场中类平抛运动 ……1分 ……1分
解得 …………………1分
(3)由动能定理…………2分 解得粒子到达Q点时的动能为……1
(昌平)3.在图所示的四幅图中,正确标明了通电导线所受安培力F方向的是
关于磁感应强度,下列说法中正确的是
A.由可知,B与F成正比,与IL成反比
B.通电导线放在磁场中的某点,那点就有磁感应强度,如果将通电导线拿走,那点的磁感应强度就为零
C.通电导线受安培力的地方一定不存在磁场,即B=0
D.磁场中某一点的磁感应强度由磁场本身决定,其大小和方向是唯一确定的,与通电导线无关
B.
C. D.
B
(昌平)18.已知H)、H)、H)三个带电粒子,它们的速度垂直射入同一磁场,速圆周运动半径,周期。. 氚(H),氚(H) [来源:学科网ZXXK]
(昌平)24.(分)如图所示为一质谱仪的构造原理示意图,整个装置处于真空环境中,离子源N可释放出质量、电荷量均为q(q>0)的离子。离子的初速度很小,可忽略不计。离子经S1、S2间电压为U的电场加速后,从狭缝S3进入磁感应强度大小为B、方向垂直于纸面向外的匀强磁场中,沿着半圆运动到照相底片上的P点处,测得P到S3的距离为x。求:
1)离子经电压为U的电场加速后的;
2) 离子的质
(昌平)24.(7分)
解:(1)离子经S1、S2间电压U的加速 (2分)
所以 ① (1分)
(2)设子进入磁场后做匀速圆周运动半径为R洛兹力提供向心力x ③ (1分)
联立①②③,解得 (2分)
(东城)2.下列各图表示通电直导线周围磁感线的分布情况其中正确的是
14.如图所示,截面为正方形空腔abcd 放置在一匀强磁场中,磁场方向垂直纸面向里。若有一束具有不同速率的电子由小孔a沿ab方向射入磁场,打在腔壁上的电子都被腔壁吸收,则由小孔c 和小孔d 射出的电子的速率之比为 ;由小孔c 和d 射出的电子在磁场中运动的时间之比为 。
(东城)14.2:11:质谱仪的原理图,A为粒子加速器,电压为;为速度选择器,磁场电场,磁感应强度为,板间距离为d;为偏转分离器,磁感应强度为。一质量为m,电量为q的子经加速器加
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